IGBT RJP30Y2A

Описание IGBT RJP30Y2A

RJP30Y2A — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения
• Низкие потери проводимости и переключения
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный)
• Высокая устойчивость к перегрузкам
• Изолированный корпус, упрощающий монтаж на радиатор

Технические характеристики RJP30Y2A

Основные параметры

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 100 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.83 °C/Вт |

Динамические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Емкость входная (C_ies) | 1800 пФ |

Характеристики встроенного диода

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 30 А |
| Время восстановления (t_rr) | 120 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (STMicroelectronics)
• IXGH30N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера в других корпусах/сериях:

• RJP30Y2DPP (с улучшенными параметрами)
• RJP30Y2AFP (аналог с другим корпусом)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения, уточните!