IGBT RM10TA-M

Описание IGBT RM10TA-M

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) RM10TA-M – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в импульсных схемах. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратных токов.
• Надежная изоляция корпуса (если модуль изолированный).
• Устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип прибора | IGBT с антипараллельным диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 10 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 20 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.5–2.0 В |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100 нс |
| Корпус | TO-220 (возможны вариации) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

(Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и модификации.)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• RM10TA-M (оригинал)
• IRG4PC10U (International Rectifier)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW10NC60HD (STMicroelectronics)
• HGTG10N60A4D (Renesas)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в схемах, рассчитанных на IGBT 600 В / 10 А.
• Может использоваться вместо IRG4BC10U, FGA10N60SFD с проверкой параметров.

Примечание

Перед заменой уточните распиновку и характеристики, так как корпуса и параметры могут отличаться у разных производителей. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet.

Если нужны дополнения или уточнения – сообщите!