IGBT RM10TB-H

Описание IGBT RM10TB-H

IGBT RM10TB-H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных/высокотоковых приложениях.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкие потери при переключении.
• Встроенный быстрый диод для защиты от обратного напряжения.
• Высокая температурная стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 10 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 6 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 20 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 50 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• STGW10NC60KD (STMicroelectronics)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA10N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG10N60A4D (Microsemi)

Совместимые модели в других корпусах:

• RM10TB-H (TO-220F)
• RM10TB-1H (TO-220AB, не изолированный)
• RM10TB-2H (TO-263, SMD-версия)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты
• Устройства плавного пуска

Если вам нужна дополнительная информация, уточните производителя (например, Toshiba, Mitsubishi и т. д.), так как маркировка может отличаться.