IGBT S30VTA80

Описание IGBT S30VTA80

S30VTA80 — это мощный IGBT-транзистор с высокой эффективностью и быстрым переключением, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (импульсный) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2,15 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | ~45 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60B3 (Microsemi)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужен полный даташит, уточните производителя (например, Infineon, Toshiba, Mitsubishi), поскольку маркировка S30VTA80 может относиться к разным брендам.