IGBT SKD52/18

Описание IGBT SKD52/18

SKD52/18 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой стойкостью к перегрузкам и эффективным теплоотводом благодаря конструкции в корпусе с изолированной базой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1800 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 52 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 104 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 3.0 В (при I_C = 52 А) | | Время включения (t_on) | 70 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены:

• SKD52/18 (оригинал Semikron)
• SKM52GB128D (аналог в другом корпусе)
• CM75DY-24H (Mitsubishi, с близкими параметрами)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXGH52N170 (IXYS, 1700 В, 52 А)
• FGA52N65 (Fairchild, 650 В, но может использоваться в схемах с меньшим напряжением)
• IRG4PH50UD (Infineon, 1200 В, 55 А)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой на аналог необходимо проверить соответствие параметров, особенно напряжение V_CES и температурный режим.

Если нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схеме применения – уточните запрос!