IGBT SKD75GAL123D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKD75GAL123D
Описание IGBT SKD75GAL123D
IGBT SKD75GAL123D – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей температурной стабильностью.
Корпус SKiiP обеспечивает отличное охлаждение, а внутренняя конструкция включает антипараллельный диод для защиты от обратных напряжений.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT с диодом (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,85 В (при 75 А) | | Время включения (ton) | 35 нс | | Время выключения (toff) | 220 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Корпус | SKiiP (изолированный, с винтовыми клемами) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Semikron: SKM75GB123D, SKM75GB12T4
- Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75L-120
Совместимые модули в других линейках:
- SKD62GAL123D (62 А, 1200 В)
- SKD100GAL123D (100 А, 1200 В)
- SKD75GAL126D (75 А, 600 В)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления двигателями (тяговые приводы)
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Модуль SKD75GAL123D подходит для замены в ремонте или модернизации схем с аналогичными характеристиками. При выборе аналога важно учитывать тепловые параметры и рабочее напряжение.
Если нужна дополнительная информация по подключению или datasheet, уточните!