IGBT SKM75GB123D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SKM75GB123D
Описание IGBT модуля SKM75GB123D
SKM75GB123D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Semikron, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение | |--------------------------|--------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Ток коллектора (IC) при 25°C | 75 А | | Ток коллектора (IC) при 80°C | 50 А | | Импульсный ток (ICM) | 150 А | | Мощность рассеивания (Ptot) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В | | Время включения (ton) | 70 нс | | Время выключения (toff) | 350 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | SEMiX 3 (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Semikron:
- SKM75GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
- SKM75GB12T (более старая версия)
- SKM75GB128D (аналог с напряжением 1200 В)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF75R12KT4
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75L-120
Совместимые модули в других корпусах:
- SKM100GB123D (100 А, 1200 В)
- SKM50GB123D (50 А, 1200 В)
Применение
- Промышленные инверторы
- Преобразователи частоты
- Электроприводы
- Сварочные аппараты
- Источники питания
Модуль SKM75GB123D обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике благодаря низким потерям и хорошему теплоотводу. Рекомендуется использовать с подходящими драйверами (например, SKHI22 или SKYPER 32).
Если нужна более детальная информация (например, схема включения или графики характеристик), уточните запрос!