IGBT TDB6HK165N16LOF

Описание IGBT TDB6HK165N16LOF

IGBT TDB6HK165N16LOF – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в высоковольтных и высокочастотных преобразователях энергии. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, сварочного оборудования, промышленных приводов и систем возобновляемой энергии.

Корпус модуля обеспечивает хорошие термодинамические характеристики и защиту от перегрева. Устройство оснащено встроенным диодом обратного восстановления (антипараллельный диод), что упрощает проектирование схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 6 A (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 12 A |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 50 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при I_C = 6 A) |
| Время включения (t_on) | ~35 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Part-номера и совместимые модели

Парт-номера аналогов и замен:

• Infineon: IKW40N65H5, IKW40N60T
• STMicroelectronics: STGW40H65DFB
• Fuji Electric: 6MBI15VA-160-50
• Mitsubishi: CM600HA-24A
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IRGP4063DPBF (International Rectifier)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS)
• APT50GR60J (Microsemi)
• NGTB40N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления двигателями
• Солнечные инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные источники питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.