IGBT TM130PZ-2H

IGBT TM130PZ-2H: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) TM130PZ-2H – это мощный транзистор с изолированным затвором, используемый в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря низким потерям проводимости и переключения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT модуль (NPT-IGBT) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 130 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 260 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 6 В |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.21 °C/Вт |
| Корпус | Пластиковый, 6-выводной (TO-247 или аналог) |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены модуля TM130PZ-2H могут включать:

• Infineon: IKW40N120H3, IKW75N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi: CM300DY-24A
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGH40N120A

При замене необходимо учитывать электрические и тепловые параметры, а также конструкцию корпуса.

Применение:

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и консультироваться с производителем.