IGBT TM55DZ-H

Описание IGBT TM55DZ-H

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) TM55DZ-H – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для высокочастотных коммутационных приложений в инверторах, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), сварочных аппаратах и импульсных источниках питания. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------------|--------------|
| Тип устройства | IGBT + диод |
| Макс. коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 55 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 110 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера:

• TM55DZ-H (полное обозначение производителя)

Совместимые / аналогичные модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• STGW55HF60WD (STMicroelectronics)
• APT50GF60B2 (Microchip Technology)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электроприводы

Модуль TM55DZ-H обеспечивает высокую эффективность и долговечность в условиях высоких нагрузок.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или спецификациям, уточните производителя (например, Toshiba, Infineon и т. д.), так как маркировка может отличаться.