IGBT TO-247AB

Описание IGBT TO-247AB

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-247AB – это мощный полупроводниковый прибор, сочетающий преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери проводимости). Корпус TO-247AB обеспечивает эффективный теплоотвод благодаря металлической контактной площадке и совместимости с радиаторами.

Основные технические характеристики

• Корпус: TO-247AB (TO-247AC с изолированным фланцем также совместим)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 650 В, 1200 В (зависит от модели)
• Ток коллектора (I_C): 20–100 А (при 25°C)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 100–300 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 20–100 нс
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,3–1,5 °C/Вт

Популярные парт-номера IGBT в корпусе TO-247AB

Infineon:

• IRGP4063DPBF (600 В, 52 А)
• IRGP50B60PD1-EP (600 В, 75 А)
• IRG4PH50UD (1200 В, 45 А)

STMicroelectronics:

• STGW40H65DFB (650 В, 40 А)
• STGW30H120DF3 (1200 В, 30 А)

ON Semiconductor / Fairchild:

• FGH40N60SMD (600 В, 40 А)
• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)

Mitsubishi / Renesas:

• CM75E3U-12H (1200 В, 75 А)

IXYS (Littelfuse):

• IXGH48N60B3D1 (600 В, 48 А)

Совместимые модели

IGBT в корпусе TO-247AB имеют аналоги в корпусах:

• TO-247AC (с изолированным фланцем)
• TO-264 (усиленный вариант TO-247)
• TO-3P(N) (устаревший аналог)

Прямые аналоги:

• IRGP4063DPBF → FGH40N60SMD (ON Semi)
• STGW30H120DF3 → IRG4PH50UD (Infineon)

Применение

IGBT TO-247AB используются в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Сварочных аппаратах
• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Электроприводах и системах управления двигателями

Если нужны специфические параметры (например, для замены в конкретной схеме), уточните напряжение и ток.