A165TGM2

A165TGM2 (Транзистор MOSFET)

Описание:

A165TGM2 – это N-канальный MOSFET-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах.

Отличается высокой скоростью переключения, малыми потерями и хорошей термостабильностью, что делает его пригодным для применения в компактных и энергоэффективных схемах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 60 В | | Макс. ток стока (ID) | 16 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.025 Ом (при VGS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1-2.5 В | | Макс. мощность рассеяния (PD) | 50 Вт | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Рабочая температура | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Оригинальный номер:

• A165TGM2

Прямые аналоги (замены):

• IRFZ44N (55 В, 49 А, RDS(on) = 0.022 Ом)
• IRF3205 (55 В, 110 А, RDS(on) = 0.008 Ом)
• STP55NF06 (60 В, 55 А, RDS(on) = 0.02 Ом)
• FQP30N06L (60 В, 32 А, RDS(on) = 0.035 Ом)
• AOD4184 (60 В, 25 А, RDS(on) = 0.025 Ом)

Аналоги в корпусе TO-252 (DPAK):

• SI7145DP-T1-GE3 (60 В, 16 А, RDS(on) = 0.025 Ом)
• AO4409A (30 В, 25 А, RDS(on) = 0.01 Ом)

Совместимые модели и применение:

Транзистор A165TGM2 может использоваться в:

• Импульсных блоках питания (БП компьютеров, серверов)
• DC-DC преобразователях
• Драйверах моторов (электроинструменты, электромобили)
• Системах управления нагрузкой (реле, инверторы)

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие параметров, особенно VDS, ID и RDS(on).

Если вам нужны спецификации для конкретного устройства, уточните модель платы или схемы.