SRT1ND08S

Описание и технические характеристики SRT1ND08S

SRT1ND08S – это N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для применения в схемах управления питанием, импульсных источниках питания (SMPS), DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 80 В
• Максимальный ток стока (I_D): до 50 А (зависит от условий охлаждения)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~8 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная мощность рассеяния (P_D): до 100 Вт (с радиатором)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRF3205 (55 В, 110 А, 8 мОм)
• IRL3803 (30 В, 140 А, 6 мОм)
• STP80NF08 (80 В, 80 А, 10 мОм)
• FDP8870 (80 В, 60 А, 9 мОм)

Совместимые модели в схемах (похожие параметры):

• IRFZ44N (55 В, 49 А, 17.5 мОм)
• IRF1404 (40 В, 162 А, 4 мОм)
• AOD4184 (80 В, 60 А, 12 мОм)

Если вам нужно уточнить параметры для конкретного применения, укажите схему или условия работы.