Freescale AFT05MS031NR1

Отличный выбор! Freescale AFT05MS031NR1 — это высоконадежный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для требовательных применений в автомобильной и промышленной электронике.

Описание

AFT05MS031NR1 — это MOSFET, выполненный по передовой технологии Trench MOSFET от Freescale (ныне часть NXP Semiconductors). Ключевые особенности, которые делают его популярным:

• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Специально разработан для работы в жестких условиях (высокие/низкие температуры, вибрации, скачки напряжения).
• Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Всего 0.8 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов, повышая общий КПД системы.
• Автомобильный класс (AEC-Q101): Уровень качества, подтверждающий соответствие строгим стандартам автомобильной промышленности.
• Быстрое переключение: Благодаря низким емкостям затвора, что важно для импульсных преобразователей и систем управления двигателями.
• Логический уровень управления: Полностью открывается уже при напряжении на затворе 4.5В (тип.), что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (логика 5В) без дополнительных драйверов.
• Усиленная изоляция корпуса: Корпус D²PAK (TO-263-3) имеет изолированную (от теплоотвода) медную подложку, что упрощает монтаж на радиатор без необходимости изолирующих прокладок (при условии, что радиатор не соединен с "землей" схемы).

Основные области применения:

• Автомобильные системы: управление электродвигателями (стеклоподъемники, сиденья, насосы), реле, лампы, соленоиды.
• DC-DC преобразователи (низковольтные, высокотоковые).
• Системы управления питанием (Power Management).
• Инверторы и драйверы двигателей.
• Активная нагрузка и схемы защиты.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | D²PAK (TO-263-3) | Изолированный монтажный фланец | | Стандарт качества | AEC-Q101 | Автомобильный уровень | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Максимальное постоянное | | Ток стока (Id) | 150 А | При Tc=25°C | | Ток импульсный (Idm) | 600 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.8 мОм | Vgs=10В, Id=75А (типовое) | | | 1.0 мОм | Vgs=4.5В, Id=75А (типовое) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~130 нКл | Vgs=10В (типовое) | | Мощность рассеяния (Pd) | 250 Вт | При Tc=25°C | | Диапазон рабочих температур (Tj) | от -55°C до +175°C | |

Парт-номера и совместимые модели (Cross-Reference)

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы (рабочее напряжение, частота переключения, драйвер затвора). Всегда проверяйте даташиты.

Прямые аналоги и парт-номера:

• NXP (Freescale): Это оригинальный производитель. Может встречаться под тем же номером в каталогах NXP.
• ON Semiconductor: Часто выпускает аналогичные по параметрам и корпусу модели.

Ближайшие аналоги по характеристикам и корпусу D²PAK:

1. Infineon IPT015N03L G (или IPT015N03L) — 30В, 1.5 мОм, 150А. Очень популярный и доступный аналог.
2. Vishay (Siliconix) SUD150N03-03L — 30В, 1.3 мОм, 150А.
3. STMicroelectronics STL150N3LLH5 — 30В, 1.4 мОм, 150А.
4. ON Semiconductor NVTFS5C430N — 30В, 0.8 мОм, 120А. Близкие параметры, но чуть меньший ток.
5. Texas Instruments CSD17573Q3 — 30В, 1.7 мОм, 75А. Менее мощный, но с аналогичной логикой управления.

Что искать при поиске аналога:

При подборе замены обращайте внимание на следующие ключевые параметры в порядке важности:

1. Напряжение Vds: Должно быть не менее 30В.
2. Ток Id: Желательно 150А или выше при схожих условиях.
3. Сопротивление Rds(on): Чем ближе к 0.8 мОм (при Vgs=10В), тем лучше.
4. Корпус: D²PAK (TO-263-3).
5. Напряжение полного открытия Vgs: Для прямой замены в существующей схеме лучше брать с логическим уровнем (полное открытие при 4.5В).
6. Заряд затвора (Qg): Если схема высокочастотная, этот параметр критичен.

Рекомендация: Всегда сверяйтесь с актуальными даташитами как оригинальной детали, так и потенциального аналога, особенно при использовании в критичных по надежности применениях (автомобиль, промышленность).