Freescale MRF6S18060NR1

Freescale MRF6S18060NR1
Артикул: 406591

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MRF6S18060NR1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale MRF6S18060NR1.

Описание

MRF6S18060NR1 — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs) с барьером Шоттки (pHEMT), разработанный для работы в диапазоне частот от DC до 6 ГГц. Это ключевой компонент в выходных каскадах усилителей мощности (PA) в телекоммуникационной инфраструктуре.

Основное назначение:

  • Усилители мощности в базовых станциях сотовой связи: 3G (W-CDMA), 4G (LTE), 5G (на частотах ниже 6 ГГц).
  • Повторители (репитеры) и системы распределения сигнала (DAS).
  • Оборудование для широкополосной беспроводной связи.
  • Прочее RF-оборудование, требующее высокой линейной мощности и эффективности.

Ключевые особенности:

  • Высокая линейная мощность: Оптимизирован для работы в режимах с высоким коэффициентом амплитудной модуляции (высокий PAR), таких как W-CDMA и OFDM (LTE/5G).
  • Внутренняя согласованность: Устройство согласовано по входу и выходу на 50 Ом в широкой полосе частот, что упрощает проектирование и уменьшает количество внешних компонентов.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает необходимое усиление для финальных каскадов.
  • Поверхностный монтаж (SMT): Выполнен в корпусе Air-Cavity 8-DFN, обеспечивающем низкое тепловое сопротивление и оптимальные высокочастотные характеристики.

Технические характеристики (кратко)

Параметр | Значение | Условия / Примечание :--- | :--- | :--- Диапазон частот | DC — 6000 МГц | Рабочий диапазон Класс усиления | Линейный (Class AB) | Для сигналов с высоким PAR Выходная мощность (P3dB) | ~60 Вт (47.8 дБм) | Тип., на частоте 2.1 ГГц Выходная мощность (P1dB) | ~45 Вт (46.5 дБм) | Тип., на частоте 2.1 ГГц Линейная выходная мощность (CW) | 45 Вт (46.5 дБм) | Тип., на частоте 2.1 ГГц Усиление (Gps) | 17.5 дБ | Тип., на частоте 2.1 ГГц КПД (Drain Efficiency) | 48% | Тип., на частоте 2.1 ГГц Линейность (ACLR) | -50 дБc | Тип., для W-CDMA, 60 Вт пиковой мощности Напряжение питания (Vd) | +28 В | Стандартное напряжение стока Напряжение смещения (Vg) | Около -2.5 В | Типичное напряжение затвора (требует настройки) Ток покоя (Idq) | ~1200 мА | Типичный квазипокой Термостойкость корпуса (RthJC) | 0.5 °C/Вт | От перехода к корпусу Корпус | 8-DFN (8-выводной, Dual Flat No-Lead) | Air-Cavity, с золотым покрытием


Парт-номера и Совместимые модели

Это устройство является частью обширного семейства транзисторов Freescale/NXP. Важно понимать, что полной механической и электрической замены "один в один" часто не существует из-за тонких различий в частотной характеристике, усилении и смещении. Однако существуют аналоги, которые могут использоваться в схожих слотах или при модернизации.

1. Прямые аналоги и номера в других каталогах:

  • MRF6S18060NR1 — это полный и основной номер детали производителя (MPN).
  • Внутри компании NXP (которая приобрела Freescale) это устройство может фигурировать под тем же номером.
  • У дистрибьюторов может использоваться тот же номер.

2. Ближайшие аналоги от NXP (Freescale) в том же семействе и корпусе:

Эти модели имеют схожие характеристики, но различаются по мощности и частотной оптимизации. Всегда сверяйтесь с даташитом!

  • MRF6S18060H — Ближайший аналог, но в корпусе с керамической крышкой (вместо Air-Cavity). Электрические характеристики очень близки.
  • MRF6S19140H / MRF6S19140NR1 — Модель на 140 Вт (более мощная), часто используется в том же форм-факторе для апгрейда.
  • MRF6S160H / MRF6S160NR1 — Модель на 60 Вт, предшественник или вариант с немного другими характеристиками.
  • MRF6S21140H / MRF6S21140NR1 — Модель на 140 Вт, оптимизированная для более высоких частот (до 2.2 ГГц).

3. Аналоги от других производителей (Функциональная совместимость):

Подбор аналога от другого производителя требует тщательного анализа ВЧ-тракта. Возможные кандидаты:

  • Ampleon (ранее часть NXP):
    • BLF6G20-60, BLF6G21-60 — Устройства на основе технологии LDMOS, конкурирующие с GaAs, популярные в том же сегменте (до 2.2 ГГц).
  • Wolfspeed (Cree):
    • CGHV59350F — Мощный GaN-транзистор, предлагающий большую мощность и эффективность в сравнимом частотном диапазоне (технология следующего поколения).
  • Qorvo (ранее TriQuint):
    • TGA2578, TGA2582 — Мощные GaN-усилители в SMD-корпусах, работающие до 6 ГГц.
  • Macom:
    • MAMG-003227-0000P3 — Другие GaAs pHEMT или GaN-решения для схожих применений.

Важные замечания по замене:

  1. Не является drop-in заменой: Даже похожие модели от того же производителя (например, H vs NR1 версия) могут иметь различия в монтажном рисунке или требованиях к смещению.
  2. Обязательно изучайте даташит: Перед любой заменой необходимо сравнить:
    • S-параметры (частотная характеристика).
    • Схему смещения (кривые Vgs, ток покоя).
    • Рекомендуемую схему согласования.
    • Механический чертеж (footprint).
  3. MRF6S18060NR1 — это специализированное высококачественное RF-устройство. Его замена должна проводиться инженером, знакомым с проектированием ВЧ-усилителей.

Рекомендуется всегда использовать оригинальный номер MRF6S18060NR1 для поиска и закупки, если это требуется для ремонта или прямого замещения в существующей конструкции. Для новых проектов стоит рассмотреть более современные аналоги, в том числе на технологии GaN.

Товары из этой же категории