Freescale MRF8S26120HSR3

Отличный выбор! Freescale (NXP) MRF8S26120HSR3 — это мощный и высокоэффективный LDMOS-транзистор, разработанный для усилителей мощности в базовых станциях сотовой связи и других профессиональных RF-приложениях.

Описание

MRF8S26120HSR3 — это транзистор N-канального типа, изготовленный по передовой технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) восьмого поколения от Freescale/NXP. Он оптимизирован для работы в частотном диапазоне 2300–2700 МГц, что охватывает ключевые LTE-диапазоны (Band 7, Band 38, Band 41, Band 30) и стандарты WiMAX.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая выходная мощность: Пиковая мощность до 120 Вт (PEP), что делает его пригодным для выходных каскадов мощных передатчиков.
• Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает хорошее усиление сигнала, что может сократить количество каскадов в тракте.
• Высокая эффективность: Оптимизирован для высокой энергоэффективности (КПД), что критически важно для снижения энергопотребления и тепловыделения в базовых станциях.
• Широкополосность: Внутренняя согласованность позволяет работать в широкой полосе частот без сложных внешних цепей согласования.
• Повышенная линейность: Обеспечивает низкий уровень интермодуляционных искажений (IMD), что необходимо для современных сложных модуляционных схем (QAM, OFDM).
• Интегрированная защита: Встроенные стабилитроны обеспечивают защиту от статического электриства (ESD) и перенапряжения в затворе.
• Поверхностный монтаж: Корпус HSR3 (также известный как Air-Cavity Ceramic) предназначен для поверхностного монтажа (SMT), обладает отличными тепловыми и высокочастотными характеристиками.

Основные области применения:

• Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций LTE (2300-2700 МГц).
• Повторители и ретрансляторы сотовой связи.
• Системы связи стандарта WiMAX.
• Профессиональное радиооборудование и военная связь.

Технические характеристики (ТТХ)

Ниже приведены основные параметры при типичных условиях работы (обычно Vdd = 32V, Pout = 20W avg., частота 2500 МГц, если не указано иное).

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2300 – 2700 МГц | Оптимизированная рабочая полоса | | Выходная мощность (PEP) | 120 Вт | Пиковая мощность в импульсе | | Выходная мощность (средняя) | 20 Вт | Средняя мощность при работе с сложными сигналами LTE | | Коэффициент усиления (Gps) | 17.5 дБ (тип.) | Коэффициент усиления по мощности, больший сигнал | | КПД (Drain Efficiency) | 45% (тип.) | Высокая энергоэффективность | | Напряжение питания (Vdd) | 32 В (номинал) | Стандартное напряжение для LDMOS | | Линейность (ACLR) | Отличные показатели | Для 2-х несущих LTE, 20Вт ср. мощности | | Класс работы | AB | Обеспечивает баланс между эффективностью и линейностью | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~0.5 °C/Вт | Низкое сопротивление, хорошая способность к отводу тепла | | Сопротивление канала (Rds(on)) | Низкое | Минимальные потери в открытом состоянии | | Ёмкость (Ciss, Coss, Crss) | Оптимизированы | Для широкополосной работы и стабильности | | Корпус | HSR3 (SMT) | Керамический, полостной, для поверхностного монтажа |

Примечание: Для проектирования реальных схем необходимо использовать официальный Datasheet и руководства по применению (Application Notes) от NXP.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые / Альтернативные модели

Прямые аналоги и варианты в том же корпусе:

• MRF8S26120H — базовая модель, к которой добавляется суффикс для обозначения упаковки (SR3 — лента и катушка).
• MRF8S26120HSR3 — полное коммерческое наименование для заказа (Tape & Reel, 2500 шт.).
• В рамках того же семейства 8-го поколения существуют транзисторы с другой мощностью и частотой (например, MRF8SXXXXXH).

Совместимые / Функционально аналогичные модели от NXP (в том же диапазоне и классе мощности):

• MRF8P26080HSR3 / MRF8P26080H — 80 Вт PEP, 2600 МГц. Может использоваться в схемах с чуть меньшей мощностью.
• MRF8S21140HSR3 — 140 Вт PEP, но для диапазона 2110–2170 МГц (UMTS Band 1). Важно: Частотный диапазон отличается!
• MRF8P20165HSR3 — 165 Вт PEP, 2010–2025 МГц.
• MRFE6VP61K25H — из более нового семейства Gen6.5, 250 Вт PEP, 600 МГц. Важно: Частотный диапазон значительно ниже.
• AFT27S010NR3 / AFT27S006NT1 — Мощные транзисторы GaN-on-SiC от NXP для аналогичных частот. Это следующее поколение технологий (GaN), с более высокой эффективностью и мощностью, но обычно дороже.

Аналоги от других производителей (требуется проверка pin-to-pin и электрической совместимости!):

• Ampleon (выделилась из NXP): Модели серий BLF8G27S-xxx, BLF7G27S-xxx. Ampleon унаследовала многие линейки RF Power. Прямого аналога может не быть, но есть близкие по характеристикам.
• Wolfspeed (Cree): Модели на основе GaN HEMT (например, CGHVxxxxx). Обладают превосходными характеристиками, но требуют переразработки схемы, так как это другая технология и часто другое напряжение питания (28V/48V).
• MACOM: Широкий ассортимент LDMOS и GaN-транзисторов для инфраструктуры (серии MHT-xxxx, MGW-xxxx).
• Integra Technologies, Qorvo: Также предлагают компоненты для схожих задач.

Важное предупреждение: Несмотря на функциональную схожесть, полной pin-to-pin и электрической совместимости между моделями разных производителей и даже разных семейств часто нет. Замена требует тщательного анализа даташитов, пересчёта цепей смещения, согласования и теплового режима. Всегда консультируйтесь с технической документацией и инженерами при замене компонента.