Infineon BCW68HE6327

Артикул: 562164

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BCW68HE6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для биполярного транзистора Infineon BCW68HE6327.

Общее описание

BCW68HE6327 — это маломощный NPN биполярный транзистора общего назначения (BJT) в миниатюрном корпусе SOT-23. Он предназначен для широкого спектра применений, где требуется усиление сигнала, переключение малых токов или работа в качестве драйвера.

Ключевые особенности:

Высокий коэффициент усиления (hFE): Обеспечивает хорошее усиление даже при малых токах.
Низкое напряжение насыщения: Эффективно работает в ключевых режимах, минимизируя потери мощности.
Миниатюрный корпус SOT-23: Идеален для компактных электронных устройств и плотного монтажа на печатной плате (ПП).
Высокая частота перехода (fT): Позволяет использовать в низкочастотных и среднечастотных усилительных каскадах.

Основные области применения

Усилители низкой частоты (УНЧ) и предусилители.
Драйверы для светодиодов, реле или других транзисторов.
Ключи для управления маломощными нагрузками.
Генераторы сигналов.
Интерфейсные и буферные каскады в цифровых и аналоговых схемах.
Повсеместно используется в потребительской электронике, аудиотехнике, пультах ДУ, источниках питания и т.д.

Технические характеристики (Electrical Characteristics, Ta = 25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN | — | | Корпус | — | SOT-23 | — | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | 45 В | I_C = 10 мА, I_B = 0 | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 50 В | I_C = 10 мкА, I_E = 0 | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | 5 В | I_E = 10 мкА, I_C = 0 | | Постоянный ток коллектора | I_C | 100 мА | — | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 250 мВт | — | | Температура перехода | T_j | от -55°C до +150°C | — | | Коэффициент усиления по току (hFE) | — | 200 - 450 | V_CE = 5 В, I_C = 2 мА | | | | 120 - 240 | V_CE = 5 В, I_C = 10 мА | | | | 40 - 120 | V_CE = 5 В, I_C = 100 мА | | Частота перехода | f_T | 250 МГц (тип.) | V_CE = 5 В, I_C = 10 мА | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 0.25 В (макс.) | I_C = 10 мА, I_B = 0.5 мА | | | | 0.6 В (макс.) | I_C = 100 мА, I_B = 5 мА | | Напряжение насыщения база-эмиттер | V_BE(sat) | 0.9 В (макс.) | I_C = 10 мА, I_B = 0.5 мА |

Распиновка (Pinout) для корпуса SOT-23

    Вид сверху на маркировку
     ┌───┐
  Б  │   │  К
  А  │   │  О
  З  └───┘  Л
  А         Л
     Э М И
     М Т Т
     И Е Е
     Т Р
     Т

1-й вывод (Emitter): Эмиттер
2-й вывод (Base): База
3-й вывод (Collector): Коллектор

Маркировка на корпусе: 2A

Прямые аналоги и совместимые замены (Cross-Reference)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом на конкретное изделие, особенно по параметрам hFE (коэффициент усиления) и распиновке, так как они могут отличаться у разных производителей.

Прямые аналоги с корпусом SOT-23 и схожими параметрами:

BCW68 Series (Infineon): BCW68, BCW68F, BCW68G, BCW68H (различаются в основном диапазоном hFE).
BCX56 Series (Infineon/others): Близкий аналог, также популярен.
MMBT4401: Очень распространенный и часто взаимозаменяемый NPN транзистор (40В, 600мА). Внимание: У MMBT4401 напряжение V_CEO ниже (40В против 45В).
2SC2712: Популярный японский аналог.
2N3904: Классический транзистор, но обычно в корпусе TO-92. В SMD-исполнении — MMBT3904. Внимание: У MMBT3904 напряжение V_CEO ниже (40В).
KTC3875S: Аналог от KEC.
SS9014: Широко распространен, особенно в китайской электронике.

Производители, выпускающие полные или функциональные аналоги:

ON Semiconductor (серии BCW68, MMBT4401)
Nexperia
STMicroelectronics
Fairchild (ON Semi)
ROHM Semiconductor
WeEn (Jiangsu Changjiang)
Diodes Incorporated