Infineon BFT92E6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BFT92E6327.

Описание и применение

BFT92E6327 — это P-канальный полевой транзистор (MOSFET) малой мощности, изготовленный по передовой TrenchMOS технологии от Infineon. Он относится к серии Small-Signal MOSFET и представлен в сверхкомпактном корпусе SOT-23 (TO-236).

Ключевые особенности и преимущества:

• P-канальный MOSFET: Управляется напряжением, имеет очень высокое входное сопротивление. Для его открытия необходимо подать отрицательное напряжение затвор-исток (V_GS < 0). Идеально подходит для коммутации нагрузок, подключенных к шине питания (high-side switch).
• Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Типично -1 В, что позволяет эффективно управлять от низковольтных логических уровней (3.3В, 5В) без использования дополнительных драйверов.
• Высокая крутизна (g_fs): Обеспечивает хорошие переключательные характеристики.
• Малый заряд затвора (Q_g): Позволяет достигать высоких частот переключения с минимальными потерями на управление.
• Компактный корпус SOT-23: Стандартный корпус для поверхностного монтажа (SMD), широко используемый в электронике.

Типичные области применения:

• Ключи для управления питанием (Power Switching) в портативных устройствах.
• Коммутация слаботочных нагрузок (светодиоды, реле, моторчики).
• Интерфейсы между микроконтроллерами (3.3В/5В) и более высокими напряжениями.
• Инверторы и схемы управления полярностью.
• Модуляторы и смесители в ВЧ-цепях (благодаря хорошим частотным свойствам).

Технические характеристики (основные)

Приведены абсолютные максимальные и типичные/номинальные значения при T=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DS | -50 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком. | | Напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | Максимальное напряжение на затворе. | | Постоянный ток стока | I_D | -230 мА | Максимальный непрерывный ток. | | Импульсный ток стока | I_D(pulse) | -460 мА | Максимальный ток в импульсном режиме. | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 330 мВт | При T_amb ≤ 25°C. | | Сопротивление "сток-исток" во включенном состоянии | R_DS(on) | 2.5 Ом (макс.) | Тип. ~1.8 Ом | V_GS = -10 В, I_D = -50 мА | | | | 5.0 Ом (макс.) | | V_GS = -4.5 В, I_D = -50 мА | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | от -0.5 до -2.0 В | Тип. -1.0 В | V_DS = V_GS, I_D = -1 мА | | Крутизна передаточной характеристики | g_fs | > 100 мСм | | V_DS = -10 В, I_D = -50 мА | | Ёмкость "вход-выход" | C_iss | ~ 5.5 пФ | | V_DS = -25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Ёмкость "выход" | C_oss | ~ 2.5 пФ | | | | Ёмкость "проходная" | C_rss | ~ 1.5 пФ | | | | Заряд затвора | Q_g | ~ 0.6 нКл | | V_GS = -10 В | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 °C | Рабочий диапазон. | | Температура хранения | T_stg | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Важно: Полная совместимость зависит от конкретной схемы и требований к параметрам. Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами.

1. Прямые аналоги и номера в других корпусах от Infineon:

• BFT92, BFT92W: Базовые номера семейства. Могут иметь незначительные отличия в маркировке или упаковке.
• BSS84: Классический и очень распространенный P-канальный MOSFET от Infineon (и других производителей) с похожими, но менее жесткими характеристиками (V_DS = -50В, I_D = -130мА, R_DS(on) ~ 10 Ом). Часто используется как более доступная замена в менее требовательных цепях.
• Аналоги в корпусе SOT-323 (еще меньше) или SOT-223 (больше мощность) обычно имеют другую нумерацию.

2. Прямые/близкие аналоги от других производителей:

Следующие модели имеют схожие электрические характеристики и корпус SOT-23. Они часто взаимозаменяемы, но необходимо проверять распиновку (pinout)!

• ON Semiconductor / Fairchild:
  • MMBFJ177 (аналог J177, но в SOT-23)
  • MMBF5460
• Nexperia (бывш. Philips, бывш. NXP):
  • BSS84 (очень распространенный аналог)
• Diodes Incorporated:
  • DMG3415U (более современный, с лучшими параметрами R_DS(on))
  • BSS84
• Vishay / Siliconix:
  • Si2305ADS (очень популярный и часто используемый аналог)
  • BSS84
• Toshiba:
  • 2SJ355 (или в SMD-исполнении)

3. Ключевые параметры для поиска замены:

При поиске аналога ориентируйтесь на:

1. Тип: P-Channel MOSFET.
2. Корпус: SOT-23 (SC-59, TO-236AB).
3. Напряжение V_DS: -50В (или выше, например, -60В, -100В).
4. Ток I_D: -200 мА и выше.
5. Сопротивление R_DS(on): Желательно < 5 Ом при V_GS = -4.5В / -10В.
6. Пороговое напряжение V_GS(th): Желательно в диапазоне -0.8...-2.0В для работы от логических уровней.

Вывод

Infineon BFT92E6327 — это надежный, высоковольтный P-канальный MOSFET для слаботочных применений, отлично подходящий для задач управления питанием в современной компактной электронике. Благодаря своей популярности и стандартизированным параметрам, он имеет множество аналогов от различных производителей, что упрощает поиск и замену.