Infineon BSM30GD60DLC

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Infineon BSM30GD60DLC.

Общее описание

BSM30GD60DLC — это классический двухуровневый (полумостовой) силовой модуль IGBT 3-го поколения (TrenchStop) с интегрированным ультрабыстрым диодом обратного восстановления. Он предназначен для построения мощных инверторов, частотных преобразователей, источников бесперебойного питания (ИБП) и сварочного оборудования.

Ключевые особенности:

• Конструкция: Изолированный медный базовый корпус, обеспечивающий высокую механическую прочность и эффективный отвод тепла.
• Технология: IGBT с технологией TrenchStop и NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает низкое напряжение насыщения (Vce(sat)), положительный температурный коэффициент (облегчает параллельное соединение) и высокую стойкость к перегрузкам по току.
• Диоды: Встроенные ультрабыстрые мягкие recovery-диоды с малым зарядом восстановления, что снижает коммутационные потери и помехи.
• Изоляция: Высокая электрическая прочность изоляции (более 2500 В) между кристаллами и теплоотводом, что позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изолирующих прокладок.
• Внутренняя компоновка: Полумост (два IGBT с диодами в противо-параллель).

Основные технические характеристики (ТХ)

Электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток коллектора | I_C @ 80°C | 30 А | Постоянный ток при T_case=80°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 60 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.75 В (тип.) | При I_C=30A, V_GE=15В | | Падение напряжения на диоде | V_F | 1.8 В (тип.) | При I_F=30A | | Входная емкость | C_ies | 1800 пФ (тип.) | | | Энергия включения | E_on | 1.3 мДж (тип.) | При I_C=30A, V_CC=300В | | Энергия выключения | E_off | 0.5 мДж (тип.) | При I_C=30A, V_CC=300В | | Заряд восстановления диода | Q_rr | 0.45 мкКл (тип.) | Ключевой параметр для потерь на диоде |

Тепловые и механические параметры:

| Параметр | Обозначение | Значение | | :--- | :--- | :--- | | Максимальная температура перехода | T_vj | 150 °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_th(j-c) | 0.65 К/Вт (на ключ) | | Напряжение изоляции | V_iso | 2500 В (эфф.) | Мин. 1 мин. | | Монтажный момент | | 1.5 - 2.0 Н·м | Для винтов M4 |

Рекомендуемые условия управления:

• Напряжение управления затвором (V_GE): +15 В для включения, -15 В для надежного выключения и защиты от сбоев.
• Сопротивление затвора (R_G): Рекомендуется в диапазоне 2.2 - 10 Ом для баланса между скоростью переключения и перенапряжениями.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и замены от Infineon (могут отличаться по корпусу или незначительным параметрам):

• BSM30GD60DN2: Более новая версия в корпусе DLC (модифицированная).
• BSM30GD60D: Предыдущая версия, возможно, с другими внутренними соединениями. BSM30GD60DLC является прямой и улучшенной заменой для BSM30GD60D.
• BSM30GD60DL: В корпусе "L" (длинные выводы).
• Серия BSM с другими токами/напряжениями в том же корпусе (например, BSM20GD60DLC, BSM50GD60DLC).

2. Совместимые / аналогичные модели от других производителей (функциональные аналоги): При поиске аналога необходимо сверять распиновку (pinout), механические размеры и электрические параметры.

• Fuji Electric:
  • 2MBi30VN-060 (серия 2MBi) — очень близкий аналог по корпусу и параметрам.
• Mitsubishi Electric:
  • PM30CL1A060 (серия L1) — аналогичный модуль полумоста.
• SEMIKRON:
  • SKM30GB063D (серия SKM) — схожие характеристики, но корпус может отличаться.
• ON Semiconductor:
  • NXV30B60D (серия NVX) — функциональный аналог.

Важное примечание по замене: Несмотря на схожесть параметров, распиновка (расположение выводов) может отличаться! Перед заменой необходимо обязательно сверяться с даташитами обоих модулей.

Области применения

• Частотные преобразователи (ПЧ): для управления асинхронными электродвигателями мощностью до ~15 кВт.
• Инверторы / ИБП: силовая часть инверторов напряжения.
• Сварочные аппараты: инверторные источники питания.
• Промышленные приводы.
• Системы рекуперации энергии.

Краткий итог

Infineon BSM30GD60DLC — это проверенный временем, надежный и мощный модуль IGBT в популярном корпусе. Его ключевые преимущества — технология TrenchStop, обеспечивающая высокий КПД, и прочный изолированный корпус. Он имеет несколько модификаций от Infineon и прямые функциональные аналоги у других ведущих производителей, что упрощает поиск замены при необходимости.