Infineon BSM50GAL120DN2

Отличный выбор! BSM50GAL120DN2 — это очень популярный и надежный IGBT-модуль от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.

Краткое описание

BSM50GAL120DN2 — это двухимпульсный IGBT-модуль (Half-Bridge / 2-in-1) второго поколения, предназначенный для мощных инверторных и преобразовательных приложений. Он сочетает в себе высокую эффективность переключения и надежную конструкцию.

Основные особенности и применение:

• Архитектура: Half-Bridge (два IGBT с антипараллельными диодами в одном модуле). Это стандартная конфигурация для построения инверторных плечей.
• Назначение: Преобразование постоянного тока в переменный (инверторы) и наоборот (выпрямители).
• Ключевые преимущества: Низкие потери проводимости и переключения, высокая перегрузочная способность по току, встроенный NTC-термистор для контроля температуры.
• Типичные области применения:
  • Промышленные приводы переменного тока (частотные преобразователи)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочное оборудование
  • Солнечные инверторы
  • Системы управления электродвигателями

Полные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация модуля | Двухимпульсная (Half-Bridge, 2-in-1) | Включает 2 IGBT и 2 FRD (быстровосстанавливающийся диод) | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 80°C) | 50 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный рабочий параметр) | | Максимальный импульсный ток (Icm) | 150 А | Кратковременная перегрузочная способность | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | ~2.5 В (тип.) @ Ic=50A | Параметр потерь проводимости. Чем меньше, тем лучше. | | Общие потери при переключении (Ets) | ~3.8 мДж (тип.) @ Ic=50A | Суммарные потери на включение и выключение. | | Падение напряжения на диоде (Vf) | ~1.7 В (тип.) @ If=50A | Параметр потерь в антипараллельном диоде. | | Термическое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.35 К/Вт (на IGBT) | Характеризует способность отводить тепло от кристалла. | | Максимальная температура перехода (Tjmax) | +150 °C | Абсолютный максимум. Работать рекомендуется до +125°C. | | Встроенная термозащита | NTC-термистор | Сопротивление: 10 кОм при 25°C. Для мониторинга температуры, но не для защиты (защиту нужно реализовывать в драйвере). | | Изоляция корпуса | 2500 В (эфф.) | Гальваническая развязка между кристаллами и радиатором. | | Крепление | Винтовое (M4) | Для силовых выводов и клеммы термистора. | | Монтаж на радиатор | Через теплопроводящую пасту | Плоское основание (base plate). |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько стандартных обозначений и прямых аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (EUPEC)

Модуль выпускался под брендом EUPEC, который позже был полностью интегрирован в Infineon. Эти номера обозначают то же самое устройство:

• BSM50GAL120DN2 (основной номер на текущий момент)
• BSM 50 GAL 120 DN2 (тот же номер, с пробелами)
• EUPEC BSM50GAL120DN2 (старое обозначение с именем бренда)
• В старых каталогах может встречаться как часть серии BSM50GB120DN2, но с уточнением "AL" (обозначение поколения и технологии).

2. Функционально и конструктивно совместимые аналоги от других производителей

Следующие модули имеют идентичную или очень похожую конфигурацию (Half-Bridge, 1200В, ~50-75А), распиновку выводов и геометрию корпуса. Это позволяет проводить прямую замену на плату без изменения конструкции (но всегда нужно сверяться с даташитами!).

• Fuji Electric: 2MBI50N-120 (серия 2MBI50N-120-***)
• Semikron: SKM50GB128D (очень популярный и распространенный аналог)
• Mitsubishi Electric: CM50DY-12H (CM50DY-12***)
• Powerex (Mitsubishi): CM50DY-12H

3. Важные замечания по совместимости:

1. Распиновка (pin-to-pin): Перечисленные аналоги являются pin-to-pin совместимыми с BSM50GAL120DN2 в большинстве случаев. Это означает совпадение расположения силовых и управляющих выводов, а также габаритов.
2. Всегда проверяйте даташит! Перед заменой обязательно сравните:
   • Распиновку (распиновку) с официального даташита.
   • Геометрические размеры и расположение монтажных отверстий.
   • Характеристики драйверов (напряжение затвора Vge, рекомендуемые сопротивления в цепи затвора Rg). Хотя они часто совпадают для стандартных IGBT, отличия возможны.
3. Поколения и технологии: Модули разных производителей могут отличаться по динамическим характеристикам (потери при переключении, скорость), что может потребовать корректировки драйвера (Rg) для оптимальной работы и предотвращения перегрева или перенапряжений.

Заключение

Infineon BSM50GAL120DN2 — это классический, проверенный временем силовой модуль, который остается отличным выбором для ремонта промышленного оборудования или разработки новых инверторных систем средней мощности. Его популярность обеспечила широкий рынок как оригинальных модулей, так и функциональных аналогов от ведущих производителей. При замене приоритет следует отдавать оригиналам Infineon или прямым аналогам Semikron, Fuji, Mitsubishi с обязательной проверкой по даташитам.