Infineon BSM50GD120DN2E3226

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Infineon BSM50GD120DN2E3226.

Общее Описание

Infineon BSM50GD120DN2E3226 — это полностью трехфазный силовой модуль (Dual in a package) второго поколения, построенный на базе технологии Trenchstop 5 IGBT и диодов с мягким восстановлением. Он представляет собой компактное и высокоинтегрированное решение, содержащее в одном изолированном корпусе все шесть ключей (3 фазных плеча) для построения инвертора или преобразователя частоты.

Модуль разработан для применения в промышленных приводах, сервоприводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), солнечных инверторах и другом оборудовании, требующем высокоэффективного преобразования энергии.

Ключевые Особенности и Преимущества

• Высокая интеграция: В одном модуле собраны 6 IGBT, 6 антипараллельных диодов и 3 тормозных (NTC) термистора для контроля температуры. Это упрощает проектирование и монтаж.
• Технология Trenchstop 5: Обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации, что повышает общий КПД системы.
• Низкие индуктивности силовых выводов: Способствует снижению перенапряжений при коммутации.
• Керамическая изолирующая подложка (DCB): Обеспечивает высокую электрическую прочность изоляции (более 2.5 кВ) и отличное отведение тепла.
• Встроенный NTC-термистор: Позволяет точно контролировать температуру основания модуля для защиты от перегрева.
• Корпус EASY 2B: Оптимизирован для простого монтажа и пайки на печатную плату (PCB), а также для установки на внешний радиатор.

Технические Характеристики

Основные электрические параметры (при T_vj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | V_CES | 1200 | В | | Непрерывный ток коллектора (при T_c=80°C) | I_C @80°C | 50 | А | | Импульсный ток коллектора (макс.) | I_CM | 100 | А | | Мощность рассеяния (макс.) | P_tot | 267 | Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.7 (тип.) | В | | Падение напряжения на диоде | V_F | 1.8 (тип.) | В | | Время включения / выключения | t_on / t_off | 43 / 320 (тип.) | нс | | Термистор (NTC) | R_25°C | 10 | кОм |

Тепловые и механические параметры:

• Температура перехода (макс.): T_vj = 175 °C
• Сопротивление переход-корпус: R_th(j-c) = 0.47 К/Вт
• Сопротивление переход-среда (с радиатором): R_th(j-a) = 0.25 К/Вт (зависит от монтажа)
• Электрическая прочность изоляции: V_iso = 2500 В (эфф.) / 50 Гц / 1 мин.
• Вес: Приблизительно 38 г

Рекомендуемые параметры драйвера:

• Напряжение питания драйвера (V_GE): +15 В / -10 В (рекомендовано)
• Сопротивление затвора (R_G): 2.2 - 10 Ом (подбирается для оптимизации скорости и выбросов)

Парт Номера (Part Numbers) и Маркировка

• Полный номер по каталогу Infineon: BSM50GD120DN2E3226

  • BSM: Серия (Bipolar Module)
  • 50: Номинальный ток (50А)
  • G: Наличие встроенного термистора (NTC)
  • D: Корпус типа "Dual" (два транзистора в одном модуле, но здесь их три пары = полный мост)
  • 120: Номинальное напряжение (1200В)
  • DN2: Обозначение технологии и поколения (Trenchstop 5, 2-е поколение)
  • E3226: Код продукта и версия

• Маркировка на корпусе: Обычно наносится сокращенный код, например: 50GD120DN2.

Совместимые и Аналогичные Модели

При поиске замены или аналога необходимо учитывать напряжение (1200В), ток (50А), топологию (полный трехфазный мост) и корпус (EASY 2B).

1. Прямые аналоги и аналогичные модули от Infineon (в том же семействе/корпусе):

• BSM50GD120DN2 (базовая версия без суффикса "E3226", обычно означает более раннюю ревизию или упаковку).
• BSM35GD120DN2 (аналог на 35А, для меньших токов).
• BSM75GD120DN2 (аналог на 75А, для больших токов).
• BSM50GD120DLC (модуль предыдущего поколения в корпусе EASY, может иметь отличия в параметрах).

2. Аналоги от других производителей (функционально совместимые):

• Semikron: SKM50GB12T4 (серия SKiM, 1200В, 50А, полный мост).
• Fuji Electric: 6MBI50VA-120-50 (серия V-серия, 1200В, 50А).
• Mitsubishi Electric: CM50TU-12T (серия L1, 1200В, 50А).
• ON Semiconductor: NVBS50N120T (аналогичный интегрированный модуль).

Важные замечания по совместимости:

1. Механическая и электрическая совместимость: Модули разных производителей имеют разные размеры, расположение и форму выводов. Прямая замена на плате без изменения разводки обычно невозможна.
2. Совместимость по управлению: Хотя электрические параметры (V_GE, Q_g) похожи, рекомендуется перепроверить характеристики драйвера и подобрать резисторы затвора (R_G) заново.
3. Теплоотвод: Конструкция основания (теплопроводящая подложка) и рекомендации по моменту затяжки могут отличаться.

Рекомендация: При замене модуля всегда сверяйтесь с актуальными даташитами обоих компонентов (старого и нового), обращая особое внимание на габаритные чертежи (mechanical drawing), цоколевку (pinout) и электрические параметры в рабочих точках вашего применения.