Infineon BSP373NH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BSP373NH6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в компактном и современном корпусе, предназначенный для ключевых приложений. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

BSP373NH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора (Logic Level), что позволяет управлять им напряжением всего 5В или даже 3.3В напрямую с микроконтроллера. Он создан на основе передовой технологии OptiMOS™ 6, которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при минимальном заряде затвора. Это делает его идеальным решением для высокоэффективного переключения в компактных устройствах.

Основные области применения:

• DC-DC преобразователи (особенно понижающие и повышающие)
• Управление нагрузкой (Load Switch) в потребительской электронике
• Системы управления питанием (PMIC) в ноутбуках, планшетах
• Моторные драйверы для небольших двигателей
• Источники питания для серверов и телекоммуникационного оборудования

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | Infineon OptiMOS™ 6 | Поколение, оптимизированное для КПД. | | Корпус | PG-TSDSON-8 (также известный как TSNP-8-2) | Компактный корпус Power-SO8 с двумя выводами стока для лучшего теплоотвода и низкого сопротивления. | | Полярность | N-Channel | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DS) | 30 В | Для низковольтных шин 12В, 5В, 3.3В. | | Ток стока (I_D) | 73 А (при T_C=25°C) | Внимание! Это пиковый ток в идеальных условиях. Реальный непрерывный ток сильно зависит от условий охлаждения. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~1.7 мОм (макс.) при V_GS=10 В | Главное преимущество. Крайне низкие потери на проводимость. | | | ~2.2 мОм (макс.) при V_GS=4.5 В | Отлично работает от 5В логики. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Типично ~1.8В. Гарантированное открытие при 2.5В (логический уровень). | | Заряд затвора (Q_g) | ~16 нКл (тип.) | Низкий заряд упрощает управление и снижает динамические потери. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 4.4 Вт | При условии монтажа на печатную плату с соответствующей теплоотводящей площадкой. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе PG-TSDSON-8):

Эти модели имеют идентичные или очень близкие характеристики и полностью взаимозаменяемы по выводам.

• BSP373NH6327 — базовая часть номера без суффикса упаковки.
• BSP373N — краткое обозначение серии.
• IPD073N03L G — аналог из серии OptiMOS™ 5 (немного более старое поколение, но с похожими параметрами: 30В, 73А, RDS(on) ~1.8 мОм).

2. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (Pin-to-Pin):

При поиске аналога важно смотреть на: корпус (TSNP-8-2/PG-TSDSON-8), V_DS (30-40В), R_DS(on) (1-3 мОм) и ток (50-80А).

• Vishay / Siliconix:
  • SQJ476EP-T1_GE3 (40В, 70А, 2.1 мОм)
• ON Semiconductor:
  • NTMFS4D306N (30В, 100А, 1.7 мОм) — очень близкий и мощный аналог.
• Diodes Incorporated:
  • DMN3016LSD-13 (30В, 60А, 2.5 мОм)
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AONR21357 (30В, 120А, 1.3 мОм) — еще более низкое RDS(on).

3. Аналоги в других корпусах (если нужна иная монтажная площадка):

• Infineon BSC010NE2LS (в корпусе PG-TDSON-8) — похожие параметры, но корпус имеет один вывод стока.
• Infineon IPB020N03L (в корпусе TO-263-3 (D2PAK)) — для применений, где требуется лучший теплоотвод через корпус.

Важные замечания по применению:

1. Тепловой режим: Заявленный ток 73А достижим только при идеальном охлаждении кристалла. На практике допустимый непрерывный ток определяется размерами и конструкцией теплоотводящей площадки (thermal pad) на плате. Всегда делайте расчет теплового режима.
2. Управление: Несмотря на логический уровень, для быстрого переключения и минимизации потерь рекомендуется использовать специализированный MOSFET-драйвер, особенно на высоких частотах (>100 кГц).
3. Защита: Как и любой MOSFET, требует защиты от статического электричества (ESD), перенапряжения и выбросов тока (например, при коммутации индуктивной нагрузки).

Вывод: BSP373NH6327XTSA1 — это современный, высокопроизводительный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для компактных и эффективных схем переключения питания. При его замене аналогом в первую очередь обращайте внимание на корпус PG-TSDSON-8 (TSNP-8-2) и ключевые параметры: V_DS=30В и R_DS(on) ~1.7 мОм.