Infineon BSS306N

Артикул: 562524

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BSS306N

Отличный выбор! BSS306N — это очень популярный и надежный N-канальный MOSFET от Infineon, относящийся к серии OptiMOS™. Вот его подробное описание, характеристики и совместимые аналоги.

Краткое описание

Infineon BSS306N — это маломощный N-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-223, оптимизированный для ключевых приложений с низким напряжением и высокой эффективностью. Его ключевые преимущества:

Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) — всего 60 мОм при 4.5 В на затворе, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
Низкое пороговое напряжение (VGS(th)) — позволяет легко управлять от стандартных логических уровней (3.3 В, 5 В) микроконтроллеров.
Высокая скорость переключения — благодаря низким емкостям, что важно для ШИМ-управления.
Компактный корпус SOT-223 — хороший баланс между малыми размерами и способностью рассеивать мощность (до 2 Вт).

Основные области применения:

Управление нагрузкой (DC-DC реле) в автомобильной электронике (12V системы).
Ключи для низковольтных импульсных источников питания (DC-DC преобразователи).
Управление двигателями, соленоидами, светодиодными лентами.
Коммутация силовых цепей в портативных устройствах.
Защита от обратной полярности (в связке со схемой управления).

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — | | Корпус | — | SOT-223 | — | | Сток-Исток напряжение | V_DSS | 60 В | — | | Непрерывный ток стока | I_D | 0.9 А | при T_C = 25°C | | Сопротивление сток-исток | R_DS(on) | 60 мОм | V_GS = 4.5 В, I_D = 0.9 А | | | | 85 мОм | V_GS = 2.5 В, I_D = 0.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.35 - 2.35 В | I_D = 250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток | V_GSS | ±20 В | — | | Общий заряд затвора | Q_g | 3.3 нКл (тип.) | V_GS = 4.5 В | | Входная емкость | C_iss | 115 пФ | V_DS = 25 В | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 2 Вт | на плате, T_A = 25°C | | Диод сток-исток | — | Встроенный (body diode) | I_SD = 0.9 А, V_SD ≈ 1.2 В |

Part-номера (полное обозначение и аналоги от Infineon)

Официальное полное обозначение обычно включает в себя информацию о корпусе и упаковке:

BSS306NH6327XTSA1 — наиболее распространенный вариант для заказа. Суффиксы указывают на корпус SOT-223 (H), тип ленты и упаковку.

Прямые аналоги в других корпусах от Infineon (с похожими или лучшими параметрами):

BSN306N (TO-263 / D²PAK) — аналог в более мощном корпусе для больших токов.
IPD50N06S4-03 (TO-252 / DPAK) — аналог с близкими параметрами (RDS(on)=50 мОм).
Серия BSZ... в корпусе SOT-23 (например, BSZ060N06LS5) — для еще более компактных решений, но с меньшей рассеиваемой мощностью.

Совместимые модели и аналоги от других производителей (Second Source)

BSS306N является стандартным изделием, и многие производители выпускают полные или близкие аналоги. Важно всегда сверяться с даташитом перед заменой!

Прямые или очень близкие аналоги (с корпусом SOT-223 и близкими параметрами):

Что искать при выборе аналога (критически важные параметры):

Напряжение V_DSS (должно быть не менее требуемого в вашей схеме).
Ток I_D (с запасом).
R_DS(on) при вашем напряжении управления (например, при 3.3В или 4.5В). Это самый важный параметр для КПД.
Корпус и расположение выводов (Pinout). У SOT-223 у разных производителей может отличаться!
Пороговое напряжение V_GS(th) (если управление от низких напряжений).

Резюме

Infineon BSS306N — это классический, проверенный временем MOSFET, идеально подходящий для задач коммутации средних токов (до ~1А) в низковольтных цепях (до 60В). Его главные козыри — очень низкое R_DS(on) при управлении от 5В, компактность и наличие прямых аналогов у многих производителей, что делает его доступным и удобным для применения в серийных проектах.

Перед заменой всегда проверяйте даташит на соответствие по выводам (pinout) и критическим параметрам вашего приложения.