Infineon BUZ326

Артикул: 562748

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon BUZ326

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ326.

Описание и общая информация

Infineon BUZ326 — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), разработанный для применения в мощных импульсных и линейных схемах. Он принадлежит к известной серии BUZ3xx, которая долгое время была отраслевым стандартом для силовой электроники.

Ключевые особенности и применение:

Назначение: Предназначен для коммутации больших токов и напряжений. Идеально подходит для использования в качестве силового ключа.
Основные сферы применения:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Мостовые и полумостовые инверторы
- Управление электродвигателями (H-мосты, приводы)
- Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры)
- Усилители мощности класса D (аудио)
- Системы управления освещением
Корпус: Выполнен в надежном и распространенном корпусе TO-220, что обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа (возможность установки на радиатор).
Технология: Хотя это не самый современный MOSFET по параметрам (например, сопротивление открытого канала RDS(on) у новых моделей значительно ниже), BUZ326 остается популярным благодаря своей проверенной надежности, высокой устойчивости к перегрузкам и доступности.

Основные технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-Channel | — | MOSFET с индуцированным каналом | | Корпус | — | TO-220 | — | Изолированный или неизолированный вариант | | Максимальное напряжение | V_DSS | 450 | В | Напряжение "сток-исток" (ключевой параметр) | | Максимальный непрерывный ток | I_D | 17 | А | При T_к=25°C | | Максимальный импульсный ток | I_DM | 68 | А | Кратковременная перегрузка | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.15 | Ом | При V_GS=10 В, ключевой параметр для потерь | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 | В | Минимальное напряжение для открытия | | Максимальное напряжение затвор-исток | V_GS | ±20 | В | Превышение ведет к пробою затвора | | Общий заряд затвора | Q_g | ~65 | нКл | Влияет на скорость переключения и требования к драйверу | | Время включения/выключения | t_d(on) / t_r / t_d(off) / t_f | 15 / 75 / 65 / 40 | нс | Характеристики динамики переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 125 | Вт | С радиатором! Без радиатора ~2 Вт | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | Рабочий диапазон |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты маркировки

Официальное полное название от Infineon (ранее Siemens, затем International Rectifier в некоторых линиях): BUZ326.

Варианты маркировки на корпусе (TO-220):

BUZ326
Иногда может дополняться производственным кодом или логотипом производителя (например, "IR" для International Rectifier).

Важно: Существуют версии с изолированной (с пластиковой прокладкой) и неизолированной металлической пластиной (фланцем). В спецификации это может обозначаться как "Isolated" или "Insulated". Для безопасного монтажа на общий радиатор с другими компонентами необходима изолированная версия.

Совместимые модели и прямые аналоги

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: V_DSS ≥ 450В, I_D ≥ 17А, корпус TO-220, низкое R_DS(on).

Прямые и очень близкие аналоги (сопоставимые параметры):

STMicroelectronics: STP17NK50Z, STP16NK50Z (или серия STP*NK50Z)
Fairchild/ON Semiconductor: FQP17N50, FQA17N50 (FQA - в корпусе TO-3P)
International Rectifier (часть Infineon): IRF740B, IRF840 (но у них немного ниже ток, 10-12А)
Vishay/Siliconix: SUP50N06 (но напряжение 60В, не подходит для сетевых 220В), для высокого напряжения нужно искать аналоги.
NXP (Philips): BUZ326S (вероятно, тот же самый транзистор)

Более современные и улучшенные аналоги (с меньшим R_DS(on)):

Эти транзисторы часто имеют лучшие динамические характеристики и меньшие потери, что позволяет работать с более высокими КПД и частотами.

Infineon: IPP60R099CP (600В, 16А, R_DS(on)=0.099 Ом) - современный Superjunction MOSFET.
STMicroelectronics: STP20NM50FD (500В, 17А, R_DS(on)=0.22 Ом) или STW20NK50Z.
ON Semiconductor: FCP20N50 (500В, 20А, R_DS(on)=0.22 Ом).
Vishay: SUP70N10 (100В, 70А, R_DS(on)=0.01 Ом) - внимание! У этого аналога напряжение всего 100В, он подходит только для низковольтных цепей. Для замены BUZ326 в сетевых устройствах нужны аналоги с напряжением не менее 400В.

Важные замечания при замене:

Напряжение: Всегда проверяйте V_DSS. Для работы в сетевых устройствах (220В) с запасом необходимо минимум 400-500В.
Ток: Учитывайте максимальный ток в вашей схеме.
R_DS(on): Чем ниже, тем меньше потери на нагрев.
Затвор: Современные MOSFET могут иметь меньший заряд затвора (Q_g), что может потребовать корректировки драйвера управления для оптимальной работы.
Распиновка (Pinout): У транзисторов в корпусе TO-220 стандартная распиновка (слева-направо, со стороны маркировки, выводы к себе): 1 - Затвор (G), 2 - Сток (D), 3 - Исток (S). Но всегда лучше перепроверить в даташите конкретной модели.

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с актуальным даташитом (datasheet) на конкретную модель-аналог, особенно если схема работает на высоких частотах или в критичных по надежности устройствах.