Infineon BUZ50B

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного полевого транзистора Infineon BUZ50B.

Описание

Infineon BUZ50B — это классический N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) с высоким напряжением сток-исток и низким сопротивлением в открытом состоянии. Он принадлежит к одному из самых известных и проверенных временем семейств силовых MOSFET — BUZ.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Предназначен для коммутации индуктивных нагрузок в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях, контроллерах двигателей, инверторах и схемах управления мощностью.
• Конструкция: Выполнен в прочном и распространенном корпусе TO-220, который удобен для монтажа на радиатор.
• История: Изначально разработан компанией International Rectifier (IR), которая позднее была приобретена Infineon. Поэтому этот транзистор часто ассоциируется с обеими компаниями.
• Уровень технологии: Относится к более старому поколению MOSFET (например, по сравнению с современными сериями CoolMOS или OptiMOS). Он надежен, но имеет более высокое сопротивление канала (RDS(on)) при сопоставимых современных аналогах.

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при T=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 1000 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | 1.5 Ом (макс.) | При токе стока 2.5 А и V_GS=10 В. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Постоянный ток стока | I_D | 2.5 А | Максимальный средний ток в открытом состоянии. | | Импульсный ток стока | I_DM | 10 А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Рассеиваемая мощность | P_D | 75 Вт | При температуре корпуса 25°C. С радиатором. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Емкость затвора (входная) | C_iss | 600 пФ (тип.) | Влияет на скорость переключения и требования к драйверу. | | Заряд затвора | Q_g | 30 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера управления. | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_r / t_d(off) / t_f| 15 нс / 60 нс / 70 нс / 40 нс (тип.) | Быстродействие транзистора. | | Корпус | - | TO-220 | С изолированной или неизолированной площадкой (проверяйте в даташите). |

Важно: Для проектирования критичных схем всегда используйте официальный даташит (datasheet).

Прямые парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

Аналоги делятся на две категории: прямые замены (с идентичными или очень близкими параметрами и цоколевкой) и функциональные/современные аналоги (с лучшими характеристиками).

1. Прямые замены (Drop-in Replacement):

Эти транзисторы имеют схожие или идентичные ключевые параметры (1000В, ~2.5А) и корпус TO-220. Часто взаимозаменяемы без изменений в схеме.

• STMicroelectronics: STP2NA50, STP4NA50 (4A)
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP2N50, FQP4N50 (4A)
• Vishay/Siliconix: IRFBC40 (4A), IRFPC40 (6A, TO-247)
• Infineon: Сам BUZ50B является частью линейки. Также близки IRFPE50 (TO-247).
• Китайские производители: Часто маркируются именно как BUZ50B.

2. Современные и улучшенные аналоги (с лучшими характеристиками):

Эти модели могут иметь значительно более низкое RDS(on), меньший заряд затвора и лучшую эффективность. При замене стоит проверить цепь управления (достаточно ли мощный драйвер для большего Qg) и учесть возможные различия в паразитных емкостях.

• SuperFET / SuperJunction MOSFET:
  • Infineon CoolMOS™: IPP50R199CP (199 мОм при 550В, но есть и на 650В/700В с лучшими параметрами, чем у BUZ50B). Нужно искать высоковольтные серии.
  • STMicroelectronics SuperFET™: STF2N50K5 (RDS(on)=1.2 Ом, но с улучшенными динамическими характеристиками).
  • ON Semiconductor SuperJunction: FCPF2N50 (RDS(on)=1.8 Ом, быстродействие).
• Стандартные MOSFET с лучшими параметрами:
  • Infineon: IRFPS40N50 (40A, 0.085 Ом, но TO-247) — намного мощнее.
  • Любой современный MOSFET на 500-650В с током >3А и RDS(on) < 1 Ом будет иметь преимущества в КПД.

Рекомендации по замене:

1. Прямая замена в ремонте: Если вы ремонтируете старый блок питания, где стоял BUZ50B, лучше всего искать BUZ50B, IRFBC40, FQP2N50 или STP2NA50. Это гарантирует максимальную совместимость.
2. Модернизация или новый проект: При разработке новой схемы или модернизации старой для повышения эффективности и уменьшения нагрева выбирайте современные аналоги из серий SuperJunction (CoolMOS, SuperFET). Они обеспечат меньшие потери.
3. Всегда проверяйте: Перед заменой сверяйтесь с даташитами, особенно обращайте внимание на:
   • Распиновку (pinout) корпуса TO-220.
   • Заряд затвора (Qg) — не перегрузит ли он ваш драйвер.
   • Пороговое напряжение (Vgs(th)) для совместимости с управляющей схемой.

Надеюсь, эта информация будет полезной!