Infineon BUZ76

Infineon BUZ76
Артикул: 562760

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BUZ76

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для силового MOSFET транзистора Infineon BUZ76.

Общее описание

Infineon BUZ76 — это классический N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по технологии HEXFET. Он был одним из флагманов своего времени и до сих пор встречается в ремонте и старых проектах.

  • Основное назначение: Переключение индуктивных и резистивных нагрузок в мощных цепях постоянного тока.
  • Ключевые особенности: Высокое напряжение сток-исток, низкое сопротивление открытого канала (для своего времени), способность выдерживать высокие импульсные токи.
  • Тип корпуса: TO-220 — самый распространенный корпус для силовых транзисторов, удобный для монтажа на радиатор.
  • Применение: Использовался в импульсных источниках питания (SMPS), контроллерах двигателей, инверторах, DC-DC преобразователях, аудиоусилителях класса D и системах управления мощностью.

Технические характеристики (Datasheet Infineon)

Основные предельные параметры (Absolute Maximum Ratings):

  • VDSS (Напряжение сток-исток): 600 В
  • ID (Постоянный ток стока при Tc=25°C): 7 А
  • IDM (Импульсный ток стока): 28 А
  • Ptot (Максимальная рассеиваемая мощность на корпусе): 75 Вт (при Tc=25°C)
  • dv/dt (Скорость нарастания напряжения): 10 В/нс (защищен внутренним стабилитроном)

Электрические характеристики (при Tj=25°C, если не указано иное):

  • RDS(on) (Сопротивление открытого канала):
    • Макс. 1.2 Ом при VGS = 10 В, ID = 3.5 А
  • VGS(th) (Пороговое напряжение затвор-исток): 2.0 - 4.0 В
  • Время переключения:
    • td(on) (задержка включения): 14 нс (тип.)
    • tr (время нарастания): 55 нс (тип.)
    • td(off) (задержка выключения): 60 нс (тип.)
    • tf (время спада): 35 нс (тип.)
  • Заряд затвора (Total Gate Charge, Qg): 30 нКл (тип.)
  • Встроенный обратный диод: Есть (от истока к стоку, body diode).

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

BUZ76 — очень распространенная деталь, которую выпускали и продолжают выпускать под разными брендами. Прямые аналоги имеют идентичный корпус (TO-220) и совпадающие ключевые параметры (600В, ~7А).

Прямые аналоги от других производителей (часто 1:1 замена):

  • STMicroelectronics: STP6NB60, STP7NB60, BUZ76 (под маркой ST)
  • Fairchild/ON Semiconductor: FQP6N60, FQP7N60
  • Vishay/Siliconix: IRFBC40, IRFBC30
  • International Rectifier (IR): IRFBC40
  • NXP: BUZ76
  • Motorola: MTP6N60 (устаревший)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом конкретного аналога, особенно обращая внимание на распиновку (расположение выводов), так как в редких случаях она может отличаться (например, в корпусе TO-220 с изолированной площадкой).


Совместимые и современные улучшенные модели

Если требуется не просто замена, а модернизация (лучшие характеристики, меньшие потери), можно выбрать более современные MOSFET с улучшенными параметрами. Ключевые параметры для поиска замены: N-chan, 600В, ID > 7А, TO-220, RDS(on) < 1.2 Ом.

Более совершенные аналоги (с меньшим RDS(on) и/или большим током):

  • Infineon (SPA): IPP60R099CP (600В, 11А, RDS(on)=0.099 Ом) — суперджекшн, намного эффективнее.
  • STMicroelectronics (SuperMESH): STP8NK60Z (600В, 8А, RDS(on)=0.75 Ом) или STP10NK60ZFP (600В, 10А).
  • ON Semiconductor (MDmesh): FCP11N60 (600В, 11А, RDS(on)=0.38 Ом).
  • Vishay (SuperFET): SUP7N60-18 (600В, 7А, RDS(on)=0.9 Ом).

Что нужно учесть при замене на современный аналог:

  1. Распиновка: Убедитесь, что выводы (Gate, Drain, Source) расположены одинаково.
  2. Пороговое напряжение (VGS(th)): Оно должно быть совместимо с вашей схемой управления (обычно 2-4В для большинства).
  3. Заряд затвора (Qg): У современных транзисторов он может быть другим. Если драйвер затвора слабый, это может повлиять на скорость переключения.
  4. Наличие встроенного диода: Практически у всех силовых MOSFET он есть.

Краткий итог для замены:

  • Для простого ремонта: Ищите BUZ76, STP6NB60 или IRFBC40.
  • Для модернизации или если нет оригинала: Выбирайте современный транзистор из линеек Superjunction/Mesh (например, IPP60R099CP или STP8NK60Z), предварительно проверив распиновку и возможность управления от существующего драйвера.

Товары из этой же категории