Infineon DD151N22K

Infineon DD151N22K
Артикул: 562809

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon DD151N22K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon DD151N22K.

Общее описание

Infineon DD151N22K — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 6 200V. Он принадлежит к серии DD (D²PAK или TO-263), что означает корпус для поверхностного монтажа с высокой рассеиваемой мощностью. Этот транзистор разработан для обеспечения исключительно низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и выдающихся показателей эффективности, особенно в импульсных источниках питания, преобразователях DC-DC, моторных приводах и сварочном оборудовании.

Ключевые преимущества:

  • Сверхнизкое сопротивление RDS(on): Минимизирует проводимые потери и нагрев.
  • Высокая эффективность: Благодаря улучшенным динамическим характеристикам и низким зарядам переключения.
  • Оптимизированное качество переключения: Улучшенное отношение "Figure of Merit" (RDS(on) * Qg) для работы на высоких частотах.
  • Высокая надежность: Соответствие строгим промышленным стандартам Infineon.

Технические характеристики (основные параметры при Tj=25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 200 | В | Максимальное напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии | RDS(on) | 1.51 | мОм | При VGS=10 В, ID=75 А | | Максимальный непрерывный ток стока | ID | 151 | А | При TC=25°C | | Максимальный импульсный ток стока | IDM | 604 | А | | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.8 - 3.8 | В | Тип. 3.3 В | | Общий заряд затвора | Qg | 175 | нКл | При VDS=100 В, VGS=10 В | | Заряд затвор-исток | Qgs | 45 | нКл | | | Заряд затвор-сток (проходной) | Qgd | 60 | нКл | | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 625 | Вт | На бесконечном радиаторе (TC=25°C) | | Температура перехода | Tj | -55 ... +175 | °C | | | Тип корпуса | - | D²PAK (TO-263-3) | - | Также известен как TO-263AB |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Одна и та же кремниевая кристалл (чип) от Infineon часто поставляется в различных корпусах для разных применений. DD151N22K — это версия в корпусе D²PAK (TO-263).

  • Прямой парт-номер: DD151N22K
  • Полный порядковый номер (для заказа): Часто включает в себя дополнительные суффиксы, указывающие на упаковку (например, на катушке для автоматического монтажа). Пример: DD151N22KXKSA1.

Совместимые модели и аналоги в других корпусах от Infineon:

  • IP151N22K (TO-247): Версия в классическом мощном корпусе для монтажа на радиатор винтами. Имеет те же ключевые параметры (200В, ~1.51 мОм), но в другом форм-факторе.
  • ID151N22K (TO-262): Промежуточный корпус, похожий на TO-220, но для поверхностного монтажа.
  • В сериях OptiMOS™ 6 200V существуют транзисторы с близкими параметрами, но немного другим RDS(on) (например, DD120N22K, DD200N22K), которые могут быть рассмотрены при перерасчете схемы.

Совместимые модели от других производителей (Функциональные аналоги)

При поиске замены важно сравнивать не только RDS(on) и ток, но и динамические параметры (Qg, Qgd), а также вольт-амперные характеристики. Ключевые конкуренты в этом классе:

  1. STMicroelectronics: Модели из серии STPOWER MOSFET (например, STH151N200-2 или аналоги в корпусе D²PAK). Требуется проверка даташита.
  2. ON Semiconductor / Fairchild: Модели из серий SuperFET® или FDPF. Например, FDP151N20 (200В, 1.51 мОм) — очень близкий аналог. Требуется тщательная сверка характеристик!
  3. Vishay / Siliconix: Модели серии E系列 (например, SQJ151EP).
  4. IXYS (Littelfuse): Мощные MOSFET в похожих корпусах.

ВАЖНОЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ О СОВМЕСТИМОСТИ:

  • Указанные модели от других брендов являются функциональными аналогами, но не являются прямыми pin-to-pin заменами без проверки.
  • Перед заменой необходимо:
    • Сравнить распиновку (pinout) корпусов.
    • Проверить ключевые параметры в даташитах, особенно при работе на высоких частотах: Qg, Qgd, Ciss, Coss, Crss.
    • Учесть возможные различия в рекомендуемой разводке печатной платы (layout), особенно для цепей затвора и силовых выводов.
    • Убедиться, что рабочие температуры и запас по параметрам соответствуют требованиям вашей схемы.

Области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS): первичная сторона в топологиях PFC, LLC, мостовых схемах.
  • Преобразователи DC-DC в телекоммуникационном и промышленном оборудовании.
  • Приводы двигателей (мотор-контроллеры) для электромобилей, промышленных станков.
  • Сварочные инверторы.
  • Солнечные инверторы.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).

Для окончательного выбора аналога или подтверждения параметров настоятельно рекомендуется обращаться к официальным техническим описаниям (datasheet) производителей.

Товары из этой же категории