Infineon FF200R17KE4

Infineon FF200R17KE4
Артикул: 563018

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon FF200R17KE4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового модуля Infineon FF200R17KE4.

Описание

Infineon FF200R17KE4 — это двунаправленный (с обратным диодом) IGBT-модуль четвертого поколения (IGBT4 TrenchStop) в классическом корпусе 62 мм (Industrial Standard). Он является ключевым компонентом для построения мощных трехфазных инверторов и преобразователей частоты.

Основное назначение: Преобразование постоянного тока в трехфазный переменный ток (DC->AC) в мощных промышленных приводах.

  • Типичные области применения: Промышленные частотные преобразователи, приводы для насосов, вентиляторов, компрессоров, конвейеров, тяговые преобразователи, системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы).

Ключевые особенности:

  • Низкие потери: Технология IGBT4 TrenchStop и диоды Emitter Controlled обеспечивают оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость и коммутацию, что повышает общий КПД системы.
  • Высокая надежность: Корпус с низкоиндуктивной конструкцией, паяные соединения без свинца, высокотемпературная пайка силиконом (SiSiC) для повышенной стойкости к циклам мощности.
  • Упрощение конструкции: В модуль интегрированы 6 IGBT-транзисторов и 6 обратных диодов, что позволяет построить полный трехфазный мостовой инвертор (3-фазный полумост) с минимальным количеством компонентов.
  • Встроенный NTC-термистор: Позволяет контролировать температуру основания модуля для реализации защиты от перегрева.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 3-фазный полумост (6 в 1) | Три плеча с верхним и нижним ключом | | Корпус | 62 мм, модуль с изолированным основанием | Стандартный промышленный корпус | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES = 1700 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток (при Tc=80°C) | IC,nom = 200 А | Для каждого IGBT/диода | | Ток коллектора (пиковый) | ICM = 400 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) = 2.35 В (тип.) | При IC=200А, VGE=15В | | Падение напряжения на диоде | VFM = 1.7 В (тип.) | При IF=200А | | Энергия выключения (Eoff) | ≈ 110 мДж (тип.) | Зависит от условий, ключевой параметр для потерь на коммутацию | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) = 0.12 К/Вт (на IGBT) | Суммарное для всех ключей ~0.04 К/Вт | | Максимальная температура перехода | Tvjmax = 150 °C (операционная) / 175 °C (хранения) | | | Напряжение управления затвором | VGE = ±15 В (рекомендуемое) | Стандартный диапазон для IGBT | | Встроенные датчики | NTC-термистор (B57861S0103F040) | Для контроля температуры основания |

Важные примечания по применению:

  • Для работы необходимы внешние снабберные цепи (RC-цепи) для подавления перенапряжений при коммутации.
  • Требуется качественный монтаж на радиатор с использованием теплопроводной пасты для эффективного отвода тепла.
  • Обязательно применение согласованных драйверов затвора с достаточной токовой способностью для управления емкостью затвора модуля.

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько вариантов маркировки и прямых/функциональных аналогов.

1. Парт-номера Infineon для одного и того же модуля:

  • FF200R17KE4 — Основной и полный номер по каталогу Infineon.
  • FF200R17KE4G — Буква "G" на конце часто указывает на "зеленый" продукт (не содержащий свинца, соответствует RoHS). В современной документации это стандарт, и "KE4" и "KE4G" обычно означают одно и то же.
  • FF200R17KE4_B2 — Вариант с дополнительным суффиксом (B2, B3 и т.д.), может указывать на незначительные производственные ревизии или упаковку. Электрические параметры идентичны.

2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Модули в корпусе 62мм стандартизированы. Внимание! Полная взаимозаменяемость требует проверки посадочного места, расположения клемм, электрических и тепловых характеристик в даташитах.

  • SEMIKRON: SKM200GB17E4 (аналогичное поколение IGBT4, 1700В, 200А).
  • Fuji Electric: 2MBI200VXB-170-50 (серия X-Series, 1700В, 200А).
  • Mitsubishi Electric: CM200DY-24NFH (более старая серия, требует тщательной проверки характеристик).
  • Powerex (Mitsubishi): CM200DY-24NFH.

3. Функциональные аналоги и альтернативы в линейке Infineon:

  • Более новое поколение (IGBT7): FF200R17W7H3_B11 (EconoDUAL™ 3, 1700В, 200А). Имеет меньшие потери, но другой корпус (EconoDUAL 3). Не является прямым механическим аналогом, требуется переделка платы/радиатора.
  • Аналоги в том же корпусе 62мм:
    • FF150R17KE4 — 150А версия.
    • FF300R17KE4 — 300А версия (более мощная, но с бóльшими габаритами/током).
    • FF200R12KE4 — 1200В, 200А версия (для применений с более низким напряжением шины DC).
  • Для ремонта/замены: При поиске аналога критически важно сверять:
    1. Напряжение VCES (1700В).
    2. Номинальный ток IC (200А).
    3. Конфигурацию (6 в 1, 3-фазный мост).
    4. Механический корпус и распиновку (62мм, расположение силовых и управляющих выводов).

Рекомендация: Всегда используйте официальный даташит (Datasheet) для модуля FF200R17KE4 от Infineon при проектировании и замене. Для подбора аналога проводите сравнительный анализ характеристик, особенно энергии переключения (Eoff) и тепловых параметров.

Товары из этой же категории