Infineon FP50R12KT4G_B15
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon FP50R12KT4G_B15
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для IGBT-модуля Infineon FP50R12KT4G_B15.
Описание и назначение
FP50R12KT4G_B15 — это высоковольтный IGBT-модуль в популярном промышленном корпусе EconoDUAL™ 3. Это двухключевой модуль (полумост, 2-in-1), который содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами (антипараллельные диоды Фривича), собранные в конфигурации "верхний-нижний" ключ.
- Основное назначение: Используется в качестве силового ключа в мощных трехфазных инверторах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания (ИБП), системах возобновляемой энергии (солнечные инверторы, ветрогенераторы) и промышленных приводах.
- Ключевые преимущества: Модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие динамические потери и высокую надежность благодаря технологии Trench/Fieldstop IGBT4 и диодам Emitter Controlled 4 (EC4) от Infineon. Суффикс
_B15указывает на конкретную ревизию или версию продукции, которая может иметь незначительные оптимизации в процессе производства, но основные электрические параметры соответствуют стандартному модулю.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2-in-1 (полумост) | Два IGBT + два диода в одном корпусе | | Корпус | EconoDUAL™ 3 | Стандартный корпус с низкой индуктивностью | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | Рабочее напряжение для сетей 690 В | | Номинальный ток коллектора (IC @25°C) | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Номинальный ток коллектора (IC @80°C) | 50 А | При температуре корпуса 80°C (основной рабочий параметр) | | Макс. импульсный ток коллектора (ICP) | 100 А | Кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | ~1.85 В (тип.) | При номинальном токе, определяет потери проводимости | | Падение напряжения на диоде (VF) | ~1.9 В (тип.) | | | Макс. мощность рассеяния (Ptot) | 405 Вт | Суммарная мощность, которую может рассеять модуль | | Диапазон температур перехода (Tvj) | -40°C ... +175°C | Максимальная температура кристалла | | Температура хранения (Tstg) | -40°C ... +150°C | | | Термическое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.25 К/Вт (на ключ) | Характеризует эффективность отвода тепла | | Индуктивность внутренних силовых выводов (Ls) | < 15 нГн | Очень низкая, что важно для снижения перенапряжений при коммутации | | Изоляционное напряжение (Viso) | 2500 В (эфф.) | Между кристаллами и базовой пластиной (радиатором) | | Вес | ~ 155 г | |
Важное примечание: Все значения, кроме максимальных, даны для типичных условий или при определенной температуре. Для проектирования конкретного устройства необходимо использовать официальный даташит (Datasheet).
Парт-номера и совместимые модели
Модуль FP50R12KT4G_B15 является частью большого семейства. При поиске аналога или замены необходимо учитывать конфигурацию, корпус, напряжение и ток.
1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:
- FP50R12KT4 (базовая версия без суффикса
_B15). Как правило,_B15— это drop-in замена, но для критичных применений лучше свериться с даташитами. - FP50R12KT4G (суффикс
Gчасто означает "безгалогенный", "зеленый" — экологичное исполнение). Модель_B15почти всегда имеет этот признак.
2. Совместимые модели в том же корпусе и классе (EconoDUAL™ 3, 1200В):
При замене на модуль с другими токовыми характеристиками необходима перерасчет теплового режима и проверка по току.
- Меньший ток:
FP35R12KT4(35A @80°C),FP40R12KT4(40A @80°C) - Больший ток:
FP75R12KT4(75A @80°C),FP100R12KT4(100A @80°C) - С другими диодами/техпроцессом: Модели с индексом
W2(IGBT4 + CAL диод) вместоT4(IGBT4 + EC4 диод), например,FP50R12W2.
3. Функциональные аналоги от других производителей (требуется проверка распиновки и механики!):
Эти модули имеют схожие параметры и часто (но не всегда) являются pin-to-pin совместимыми с EconoDUAL™ 3. Всегда сверяйтесь с монтажными чертежами.
- Semikron: SKM50GB12T4 (прямой аналог), SKM50GB12V1, SKM50GB12E4.
- Fuji Electric: 2MBI50S-120 (серия 2MBI50S), 2MBI50SA-120.
- Mitsubishi Electric: CM50DY-12S (CM50DY-12S не является полным аналогом по корпусу, требуется адаптация).
- ON Semiconductor: NVCF50N120S (серия NXH...).
Рекомендации по замене:
- Приоритет: Используйте оригинальный номер FP50R12KT4G_B15 или базовый FP50R12KT4.
- Проверка даташита: При замене на модель другого производителя или с другим током обязательно скачайте и сравните:
- Габаритный и монтажный чертеж (Mechanical Drawing).
- Распиновку контактов (Pinout).
- Электрические характеристики (Electrical Characteristics) и графики (Switching Losses, Thermal Impedance).
- Схема управления: Убедитесь, что параметры драйвера (напряжение смещения, ток буст-конденсатора, скорость нарастания) соответствуют новому модулю.
Для точного инженерного расчета всегда обращайтесь к актуальной документации на официальном сайте Infineon.