Infineon FP75R12KT4_B11

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового модуля Infineon FP75R12KT4_B11.

Описание

Infineon FP75R12KT4_B11 — это двухключевой транзисторный модуль (Dual IGBT Module) в классическом корпусе 34mm (EconoDUAL™ 3). Это один из самых популярных и широко используемых форматов силовых модулей для промышленных приводов средней мощности.

• Назначение: Предназначен для построения силовых инверторных плечей (2-уровневых) в преобразователях частоты (ЧРП), сервоприводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и других системах управления электродвигателями.
• Содержимое: В одном модуле интегрированы два IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD), каждый на полное напряжение и ток. Это позволяет собрать одно фазное плечо (полумост).
• Технология: Использует тrench-stop IGBT 4-го поколения и Emcon 4 диоды, что обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости и коммутации, а также высокой стойкостью к перегрузкам.
• Ключевая особенность (B11): Суффикс B11 указывает на модификацию с низким внутренним сопротивлением изоляции (Low V_CE(sat)). По сравнению со стандартными версиями, эти модули имеют более низкое падение напряжения в открытом состоянии, что приводит к снижению статических потерь и повышению общего КПД системы, особенно в приложениях с высокой скважностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения | V_CES | 1200 | В | Напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (при T_c=80°C) | I_C @ 80°C | 75 | А | Для каждого внутреннего IGBT/диода | | Максимальный импульсный ток | I_CM | 150 | А | | | Падение напряжения (IGBT) | V_CE(sat) | 1.65 (тип.) | В | @ I_C=75A, V_GE=15В (низкое, благодаря B11) | | Падение напряжения (диод) | V_F | 1.9 (тип.) | В | @ I_F=75A | | Скорость переключения | - | Высокая | - | Оптимизированы для частот 4-16 кГц | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_th(j-c) | 0.25 | К/Вт | На один ключ (всего 2 в модуле) | | Максимальная температура перехода | T_vj max | 175 | °C | | | Рекомендуемая рабочая температура | T_j op | ≤ 150 | °C | Для надежной работы | | Напряжение управления (затвора) | V_GE | ±20 (макс.) / ±15 (рек.) | В | | | Сопротивление изоляции | V_iso | 2500 | В (эфф.) | Корпус-база | | Вес | - | ~ 170 | г | | | Монтаж | - | Винтовой (M5) | - | К силовым и управляющим выводам |

Парт-номера и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько аналогов и парт-номеров, а также входит в семейства совместимых моделей.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• FP75R12KT4 — Базовая модель (с более высоким V_CE(sat)).
• FP75R12KT4_B15 — Другая модификация, может иметь отличия в характеристиках насыщения или времени переключения.
• FP75R12W2T4_B11 — Модуль из семейства IGBT7/W7 в том же корпусе. Более современная и эффективная замена. Имеет значительно более низкие потери, особенно при высоких частотах. Является рекомендуемым выбором для новых разработок.
• Серия FP75R12KE3 (E3) — Более старое поколение IGBT3. Модуль "KT4" (T4) является его прямым эволюционным обновлением с лучшими параметрами.

2. Совместимые модели по корпусу и распиновке (EconoDUAL™ 3):

Модули в корпусе 34mm имеют стандартизированную компоновку и крепление. Это позволяет проводить замену или модернизацию в пределах одного семейства, НО ВАЖНО всегда сверять распиновку и электрические характеристики.

• FPxxR12KT4_B11 (где xx — номинальный ток): 50А, 75А, 100А и т.д.
• FPxxR12W2T4_B11 (семейство IGBT7).
• Модули других производителей в корпусе 34mm:
  • Semikron: SKM75GB12T4 (аналог поколения IGBT4), SKM75GB12E4 (более новое).
  • Fuji Electric: 2MBI75S-120 (серия S-типа), 2MBI75U2H-120 (более новая серия U2/H).
  • Mitsubishi Electric: CM75TU-12T (CM75TU-12T не является прямым аналогом, но корпус и функция аналогичны).

3. Функциональные аналоги (Полумост 1200В / 75А):

Устройства, выполняющие ту же функцию, но в другом конструктивном исполнении:

• Отдельные IGBT + диоды: Набор из двух дискретных IGBT-транзисторов на 1200В/75А (например, в корпусе TO-247) и двух соответствующих диодов. Требует больше места и сложнее в монтаже.
• Модули в других корпусах: Например, в меньшем корпусе EconoPIM™ или в большем 62mm. Не являются механически совместимыми.

Важные замечания по применению и замене

1. Проверка распиновки (pin-to-pin): Перед заменой модуля от другого производителя необходимо сверить цоколевку управляющих (1-5) и силовых выводов. Хотя корпус стандартный, расположение выводов Gate/Emitter может отличаться.
2. Поколение технологий: Замена на модуль более нового поколения (например, на W2T4_B11) почти всегда ведет к улучшению характеристик системы (меньше нагрев, выше КПД, возможность повышения частоты).
3. Система охлаждения: Модуль требует установки на радиатор с рекомендованной шероховатостью поверхности и усилием затяжки. Обязательно использование термопасты.
4. Цепь управления: Для управления этим IGBT необходима драйверная плата, обеспечивающая необходимые токи заряда/разряда затвора и защиту (например, от короткого замыкания, через детектирование десатурации - DESAT).

Вывод: Infineon FP75R12KT4_B11 — это надежный, проверенный временем силовой модуль для решений средней мощности. При модернизации или новом проектировании стоит рассмотреть его более совершенный аналог FP75R12W2T4_B11 из семейства IGBT7.