Infineon HYB18M512160AF-7

Конечно, вот подробное описание микросхемы памяти Infineon HYB18M512160AF-7, её технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Общее описание

Infineon HYB18M512160AF-7 — это синхронная динамическая оперативная память (SDRAM) с двойной скоростной передачей данных (DDR SDRAM), организованная как 64M слов x 16 бит (разрядность шины данных). Это компонент первого поколения DDR (DDR1), широко использовавшийся в компьютерной и встраиваемой технике в начале-середине 2000-х годов.

Ключевые особенности:

• Технология: DDR1 (DDR-200, DDR-266).
• Назначение: Использовалась в качестве оперативной памяти в настольных ПК, ноутбуках, рабочих станциях, серверах, а также в различных промышленных и встраиваемых системах (сетевом оборудовании, принтерах и т.д.).
• Форм-фактор: Обычно поставлялась в виде отдельного чипа для распайки на материнскую плату или в составе модулей памяти (DIMM, SO-DIMM).
• Напряжение питания: 2.5 В (стандарт для DDR1), что меньше 3.3 В у предшествующей SDR SDRAM.

Подробные технические характеристики

| Параметр | Значение | Пояснение | | :--- | :--- | :--- | | Объём чипа | 512 Мбит (Megabit) | 64М слов x 16 бит = 1024 Мбит = 128 МБайт на чип. | | Организация | 8 банков x 4M слов x 16 бит | 8 внутренних банков для повышения эффективности. | | Тактовая частота | 133 МГц | Частота шины памяти. | | Эффективная частота передачи данных (DDR) | 266 МГц / 266 MT/s | За счёт передачи данных по обоим фронтам тактового сигнала. | | Пропускная способность (на чип) | ~533 МБайт/с | 16 бит (2 байта) * 266 млн. транзакций/с. | | Время задержки (Latency, CAS) | CL=2.5 (при 133 МГц) | Одна из ключевых временных характеристик (CAS Latency). | | Напряжение питания | 2.5 В ±0.2 В | VDD / VDDQ. | | Напряжение для подкачки (SSTL_2) | 2.5 В | Стандарт сигнализации для DDR1. | | Тип корпуса | TSOP-II-66 (Thin Small Outline Package) | Стандартный корпус для распайки. Габариты ~22мм x 10мм. | | Температурный диапазон | Коммерческий (0°C to +70°C) | Для потребительской электроники. Существовали и промышленные версии. | | Номер скорости (-7) | 7 нс | Время цикла доступа. Соответствует частоте ~133 МГц. |

Дополнительные характеристики:

• 4-битная предвыборка (4n-prefetch): Архитектурная особенность DDR1.
• Внутренние конвейеры: Поддержка последовательного и чередующегося доступа.
• Автообновление (Auto Refresh): Поддержка самообновления данных.
• Режим пониженного энергопотребления: Power Down и Self Refresh.

Парт-номера и совместимые модели (Second Source / Аналоги)

Данный чип производился не только под маркой Infineon. Компания Qimonda, выделившаяся из Infineon, также продолжала его производство. Кроме того, многие производители выпускали полностью совместимые по выводам и характеристикам чипы.

Прямые аналоги (функционально и по выводам совместимые):

• От Infineon / Qimonda:

  • HYB18M512160AF-6 — более быстрая версия (167 МГц, DDR-333, CL=2.5).
  • HYB18M512160AF-8 — более медленная версия (125 МГц, DDR-250).
  • HYB18M512160BF-7 — Версия в корпусе FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array).
  • Qimonda HYB18M512160AF-7 — тот же чип, но после выделения Qimonda.

• От Samsung (одного из крупнейших производителей):

  • K4H511638F-UCB7 (или -UCC7)
  • K4H511638F-TCB7
  • Организация 32Mx16, но функционально совместима при сборке модуля.

• От Hynix (ныне SK Hynix):

  • HY5DU561622FTP-7 (очень распространённый аналог)
  • HY5DU561622FT-7
  • HY5DU561622FTP-D43

• От Micron:

  • MT46V32M16-75B (или -75BZ, -75BG)
  • Организация 32Mx16, но часто использовалась для аналогичных модулей.
  • MT46V32M16P-75B

• От Elpida:

  • EBD10U1616A-7B-E (или -7C-E)
  • EBD10U1616A-75-E

• От Nanya:

  • NT5DS16M16AT-7K
  • NT5DS16M16AT-75

Важное примечание по совместимости:

• На уровне модуля памяти (DIMM): Для замены или апгрейда важно, чтобы модуль памяти (собранный из 4, 8 или 16 таких чипов) соответствовал стандарту (DDR PC-2100/PC-2700), таймингам и напряжению.
• На уровне чипа (для ремонта): При замене чипа на материнской плате или видеокарте можно использовать любой аналог из списка выше, обращая внимание на корпус (TSOP-II-66 или FBGA) и последнюю цифру в номере скорости (-7), которая должна совпадать или быть лучше (например, -6 вместо -7 обычно подходит).
• Поколение: Нельзя путать с DDR2, DDR3 и т.д. Напряжение и ключ (вырез на модуле) разные.

Области применения (устаревшие, но актуальные для ремонта):

• Старые настольные ПК и ноутбуки (Socket 478, 754, 939, ранние LGA775).
• Серверы и рабочие станции начального уровня.
• Промышленные компьютеры и встраиваемые системы.
• Сетевое оборудование (маршрутизаторы, коммутаторы).
• Принтеры, копиры, специализированная электроника.

Данный чип является классическим представителем эпохи DDR1 и сегодня представляет интерес в основном для специалистов по ремонту и поддержке устаревшего, но ещё функционирующего оборудования.