Infineon IDH08S120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET-транзистора Infineon IDH08S120.

Общее описание

Infineon IDH08S120 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ SJ (Super Junction). Он предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC), промышленных преобразователях и других приложениях, где критичны высокое напряжение, низкие динамические потери и высокая надежность.

Ключевой особенностью является низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении, что позволяет минимизировать проводимые потери и улучшить общий КПД системы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология CoolMOS™ SJ | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 7.7 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 30.8 А | | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 0.80 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 3.85 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 28 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета потерь на переключение | | Время включения/выключения (tr / tf) | Быстрое переключение | Зависит от схемы управления | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Пластиковый, для поверхностного монтажа (SMD), с теплоотводящей площадкой | | Класс рабочей температуры (Tj) | от -55 °C до +150 °C | |

Ключевые особенности и преимущества

1. Высокое напряжение 1200 В: Обеспечивает хороший запас прочности в сетевых приложениях (230 В, 400 В), повышает надежность при бросках напряжения.
2. Низкое RDS(on): Благодаря технологии Super Junction, достигается низкое сопротивление, что снижает потери на проводимость и нагрев.
3. Высокая скорость переключения: Оптимизированная внутренняя структура обеспечивает малые времена переключения и низкие коммутационные потери.
4. Высокая устойчивость к перегрузкам: Хорошая способность к работе в режиме лавинного пробоя (Avalanche Rugged).
5. Корпус DPAK: Компактный SMD-корпус с хорошими тепловыми характеристиками, удобен для автоматизированного монтажа.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в мостовой и двухтактной топологиях.
• ИБП (источники бесперебойного питания).
• Промышленные и серверные блоки питания.
• Преобразователи для солнечной энергетики.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У Infineon часто есть несколько обозначений для одного и того же кристалла в разных корпусах или с разными префиксами. Основной парт-номер:

• IDH08S120 (базовая модель в корпусе DPAK)

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (требуется проверка даташитов и распиновки!):

• STMicroelectronics: STF7N120K5 (1200В, 6.2А, 0.75 Ом, TO-220FP) - аналог по параметрам, но в другом корпусе. Близкий по характеристикам в DPAK: STD6N120K5.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N120 (1200В, 11А, 0.53 Ом, TO-220) или FCP7N120 (1200В, 7А, 0.8 Ом, TO-220). В корпусе DPAK можно искать в сериях NDT или NTP.
• Vishay (Siliconix): SUD07N120-500 (1200В, 7.1А, 0.8 Ом, DPAK).
• Power Integrations (как часть готовых решений): Не является прямым аналогом, но в их схемах часто используются подобные MOSFET.

Важные совместимые модели от самого Infineon (технология CoolMOS, другие корпуса/ревизии):

• SPP08S120C3 (более новая/оптимизированная версия в корпусе TO-220).
• IPD08S120C3 (в корпусе D²PAK (TO-263)).
• IPP08S120C3 (в корпусе TO-220 FullPAK).
• Модели из серий CoolMOS C3, C6, C7 (например, IPA60R120C6) — это уже транзисторы следующего поколения с лучшими параметрами, но при замене требуется пересчет драйвера из-за другого заряда затвора.

Рекомендации по замене

1. Всегда в первую очередь смотрите официальный даташит (datasheet).
2. При замене критически важно проверять:
   • Напряжение VDS: Должно быть не ниже.
   • Ток ID: Должно быть не ниже с учетом вашего теплового режима.
   • RDS(on): Желательно сопоставимое или ниже.
   • Заряд затвора (Qg): Сильно влияет на работу драйвера. Если Qg сильно отличается, драйвер может не справиться.
   • Корпус и цоколевка (Pinout): DPAK, TO-220, TO-247 имеют разное расположение выводов и тепловые характеристики.
   • Внутреннюю структуру: Наличие встроенного обратного диода (Body Diode) — у IDH08S120 он есть.

Вывод: Infineon IDH08S120 — это надежный, проверенный временем высоковольтный MOSFET для требовательных приложений. При поиске аналога обращайте внимание не только на вольт-амперные характеристики, но и на динамические параметры (Qg, Ciss) и конструктив корпуса.