Infineon IDH16G120C5XKSA1

Отличный выбор! Infineon IDH16G120C5XKSA1 — это высокопроизводительный IGBT-транзистор с кремниевым диодом в одном корпусе, предназначенный для требовательных применений, таких как сварочные аппараты, ИБП, сервоприводы и промышленные инверторы.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IDH16G120C5XKSA1 — это IGBT 5-го поколения (Trenchstop 5) в популярном корпусе TO-247. Его ключевая особенность — встроенный ультрабыстрый диод обратного восстановления в одном корпусе. Это решение обеспечивает:

• Высокую эффективность: Низкие потери проводимости и коммутации.
• Компактность: Уменьшает количество компонентов на плате и упрощает монтаж.
• Надежность: Оптимизированное сопряжение IGBT и диода улучшает устойчивость к перенапряжениям и перегрузкам.
• Отличный баланс: Идеальное сочетание низкого напряжения насыщения (Vce(sat)) и быстрого переключения.

Основное назначение: Применения, работающие на частотах до 20-40 кГц, где важны эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic @ 100°C) | 16 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора импульсный (Icm) | 32 А | Кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения (Vce(sat) тип.) | 1.85 В | При Ic=16A, Vge=15V. Низкое значение снижает потери проводимости. | | Падение напряжения на диоде (Vf тип.) | 1.9 В | При If=16A. | | Энергия включения (Eon тип.) | 2.6 мДж | Характеризует потери при включении. | | Энергия выключения (Eoff тип.) | 0.55 мДж | Очень низкое значение — ключевое преимущество 5-го поколения, снижает потери на переключение. | | Заряд обратного восстановления диода (Qrr тип.) | 1.1 мкКл | Низкий заряд снижает потери и помехи в диодной части. | | Напряжение управления затвором (Vge) | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | Стандартное для IGBT. | | Температура перехода (Tj max) | +175 °C | Максимально допустимая | | Корпус | TO-247 | Стандартный, удобный для монтажа и теплоотвода. | | Встроенный диод | Да | Ультрабыстрый кремниевый диод (FWD - Free Wheeling Diode). | | Поколение технологии | Trenchstop 5 | Оптимизация для низких потерь переключения. |

Ключевые преимущества:

1. Низкие потери выключения (Eoff): Позволяет работать на более высоких частотах или снижать тепловыделение.
2. Позитивный температурный коэффициент Vce(sat): Упрощает параллельное соединение нескольких IGBT для увеличения токовой нагрузки.
3. Высокая стойкость к короткому замыканию (SCIS): 10 мкс — обеспечивает надежную защиту схемы.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот компонент имеет несколько стандартных маркировок. IDH16G120C5XKSA1 — это полный порядковый номер (Ordering Code).

• Основной парт-номер для заказа: IDH16G120C5XKSA1
• Маркировка на корпусе (обычно): H16G120C5 или сокращенный вариант.

Совместимые модели и аналоги от других производителей (Прямая или близкая замена)

При поиске аналога необходимо учитывать: Vces (1200В), Ic (16-25А), наличие встроенного диода, корпус TO-247 и параметры переключения.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/поколения):

• IKW16N120CS6XKSA1 — IGBT 6-го поколения (C6). Более новые, с улучшенными динамическими характеристиками. Часто рекомендуются как upgrade-замена.
• IKW16N120H5XKSA1 — IGBT 5-го поколения (H5). С оптимизацией для более низких частот (лучшее Vce(sat), но выше Eoff).
• IKW15N120CS6XKSA1 — Аналог на 15А от поколения C6.
• IKW20N120CS6XKSA1 — Аналог на 20А от поколения C6 (более высокий ток).

2. Аналоги от других производителей (требуется проверка по даташиту):

• STMicroelectronics: STGW16H120DF3 (IGBT 5-го поколения с диодом, TO-247).
• Fuji Electric: 2MBI200U2B-120 (Модуль на 2 IGBT, но можно смотреть одиночные серии).
• ON Semiconductor (Fairchild): FGH16N120 (серия с диодом, но технология может отличаться).
• IXYS (Littelfuse): IXGH16N120B (Классическая серия, может иметь другие динамические параметры).

ВАЖНО: Перед заменой обязательно сверяйтесь с официальными даташитами, особенно по следующим пунктам:

• Характеристики переключения (Eon, Eoff, Qrr) — от них зависит нагрев и работа схемы на конкретной частоте.
• Задержки включения/выключения (td(on), td(off)).
• Рекомендуемая схема драйвера затвора (сопротивление затвора Rg).

Рекомендация: Для новой разработки часто предпочтительнее рассматривать более новое поколение IKWxxN120CS6. Для ремонта существующей аппаратуры — искать максимально близкий аналог по параметрам переключения.