Infineon IDH20G65C5

Infineon IDH20G65C5
Артикул: 563688

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IDH20G65C5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Infineon IDH20G65C5.

Описание

Infineon IDH20G65C5 — это мощный IGBT-транзистор (N-канальный) в популярном корпусе TO-247-3. Он является частью линейки C5, которая представляет собой пятую генерацию IGBT от Infineon, оптимизированную для высокой эффективности и надежности.

Ключевая особенность этой серии — сверхбыстрые и мягкие диоды обратного восстановления (Emitter Controlled 5, EC5), интегрированные в один корпус с транзистором. Это делает его идеальным решением для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования, источников бесперебойного питания (ИБП) и других систем, где требуется высокочастотное переключение (до 40-50 кГц) с минимальными коммутационными потерями.

Основные преимущества:

  • Низкие потери при переключении (Eoff): Позволяет работать на более высоких частотах с меньшим нагревом.
  • Позитивный температурный коэффициент Vce(sat): Упрощает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения общей мощности, так как ток между ними распределяется более равномерно.
  • Высокая стойкость к перенапряжениям и коротким замыканиям.
  • Мягкая характеристика обратного восстановления диода: Снижает электромагнитные помехи (EMI) и перенапряжения в схеме.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 650 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 40 | А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (Ic @ 100°C) | 20 | А | Номинальный ток при 100°C (указан в названии IDH20...) | | Импульсный ток коллектора (Icm) | 80 | А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 1.7 (тип.) | В | При Ic=20A, Vge=15В | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 5.3 (тип.) | В | | | Энергия включения (Eon) | 2.8 (тип.) | мДж | При Ic=20A, Vge=±15В | | Энергия выключения (Eoff) | 1.2 (тип.) | мДж | Ключевое преимущество C5 генерации | | Прямое напряжение встроенного диода (Vf) | 1.9 (тип.) | В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 200 | Вт | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 | °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rthj-c) | 0.5 | °C/Вт | | | Рекомендуемое напряжение затвора (Vge) | ±15 / ±20 | В | Стандартный режим работы |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с другими токами):

Эти транзисторы имеют идентичную или очень похожую внутреннюю структуру (чип C5).

  • IKW40N65C5 — аналог в корпусе TO-247, но с номинальным током 40А при 100°C. Фактически, более мощная версия.
  • IKW30N65C5 — аналог в корпусе TO-247, с номинальным током 30А при 100°C.
  • IKW20N65C5 — аналог в корпусе TO-247, с номинальным током 20А при 100°C. Ближайший по току аналог в том же корпусе.
  • IDW20N65C5 — аналог в корпусе TO-247 Plus (с дополнительным силовым выводом для улучшения токовых характеристик).
  • IPP20N65C5 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).

2. Совместимые / Прямые замены от других производителей (Drop-in Replacement):

Эти модели от других брендов имеют схожие или лучшие параметры, совместимые выводы и часто могут быть установлены на ту же плату без изменений схемы.

  • STMicroelectronics: STGW40H65C5 — очень популярный и часто более доступный аналог (40А, 650В, C5-технология).
  • ON Semiconductor / Fairchild: FGH40N65SMDC (серия Super Junction MDmesh™ C5) или FGH40N65SFTU.
  • IXYS (Littelfuse): IXGH40N65C5.
  • Vishay: Аналоги в сериях, но конкретные парт-номера нужно подбирать по параметрам.

Важно: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по распиновке (расположению выводов G, C, E), рекомендуемым напряжениям на затворе и динамическим характеристикам.


Ключевые области применения

  • Силовая электроника: Инверторы, частотные преобразователи (ЧП, VFD).
  • Сварочное оборудование: Инверторные сварочные аппараты.
  • Источники питания: ИБП (UPS), импульсные блоки питания (SMPS) высокой мощности.
  • Управление двигателями: Сервоприводы, системы промышленной автоматики.
  • Возобновляемая энергетика: Инверторы для солнечных панелей.

Рекомендации по использованию

  1. Схема управления затвором: Для оптимальной работы и предотвращения самопроизвольного включения используйте драйвер IGBT с рекомендуемым напряжением ±15В и низким импедансом.
  2. Охлаждение: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязателен монтаж на радиатор с использованием термопасты. Тепловое сопротивление системы должно быть рассчитано исходя из максимальной рабочей температуры перехода (желательно не более 125-150°C).
  3. Защита: В схемах рекомендуется предусматривать защиту от перегрузки по току, короткого замыкания и перенапряжений на коллекторе (снабберные цепи или активные клампы).

Этот транзистор является надежным и эффективным выбором для современных высокочастотных силовых преобразователей средней мощности.

Товары из этой же категории