Infineon IDP15E65D1XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon IDP15E65D1XKSA1.

Общее Описание

Infineon IDP15E65D1XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS) и других преобразователях энергии, где критически важны высокий КПД, надежность и компактность.

Ключевая особенность этой серии — суперструнное (Superjunction) структура, которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при заданном напряжении и площади кристалла. Это напрямую снижает коммутационные потери и нагрев, повышая общую эффективность системы.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности (PFC, LLC-резонансные преобразователи, прямые преобразователи).
• Серверные БП, БП для телекоммуникационного оборудования, промышленные БП.
• Инверторы для солнечной энергетики.
• Приложения, требующие высокой частоты коммутации.

Технические Характеристики (Ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction, CoolMOS™ P7) | | | Структура | Планарная (Planar) | Технология P7 является эволюцией планарной SJ, а не Trench. | | Корпус | TO-252-3 (DPAK) | Поверхностный монтаж (SMD), популярный корпус для силовых приложений. | | Напряжение "Сток-Исток" (VDSS) | 650 В | Рабочее напряжение, ключевой параметр для сетевых приложений (85-265 В AC). | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.150 Ом (макс.) @ VGS = 10 В, ID = 7.5 А | Очень низкое значение для такого напряжения и корпуса. | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 15 А @ 25°C | | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 60 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 70 нКл (тип.) @ VGS = 10 В | Низкий заряд способствует быстрому переключению и снижению потерь на драйвере. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень для управления микроконтроллерами/драйверами. | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт @ 25°C | Теоретический максимум, на практике ограничивается тепловым сопротивлением. | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.8 °C/Вт | Низкое значение, обеспечивает эффективный отвод тепла на плату. | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Встроенный быстрый обратный диод. Время обратного восстановления (trr) — быстрое. | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 … +150 °C | | | Особенности технологии | CoolMOS™ P7: Оптимизированное соотношение RDS(on)*Qg, высокая устойчивость к перегрузкам по току и напряжению, отличная устойчивость к dv/dt. | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые/Аналогичные Модели

Важно: Полная взаимозаменяемость требует проверки по всем параметрам в конкретной схеме (особенно динамическим характеристикам, емкостям, паразитной индуктивности выводов).

1. Прямые аналоги Infineon (внутри серии P7 и других серий):

• IPP15R125CP7 (IPD15R125CP7) — Аналог из серии CoolMOS™ P7 в корпусе TO-220 FullPAK (сквозной монтаж). Имеет схожие электрические параметры (650В, 0.125 Ом, 15А).
• IPP15R250CP7 (IPD15R250CP7) — Тот же корпус, но с RDS(on) = 0.250 Ом (на случай, если требуется меньшая стоимость при чуть больших потерях).
• SPP15N65C3 — Более старая, но популярная серия CoolMOS™ C3 (650В, ~0.19 Ом, 15А). Может использоваться как аналог с проверкой на тепловыделение.

2. Аналоги от других производителей (сопоставимые по ключевым параметрам: 650В, ~15А, низкое RDS(on), корпус DPAK/TO-252):

• STMicroelectronics:
  • STF15N65M2 (MDmesh™ M2, 650В, 0.19 Ом, 15А, TO-220FP/DPAK)
  • STP15N65M2 (TO-220/DPAK)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP15N65 (SuperFET® II, 650В, 0.28 Ом, 15А, TO-220/DPAK)
  • FCPF15N65 (TO-220FP)
• Vishay / Siliconix:
  • SUD15N65-70 (E Series, 650В, 0.70 Ом, 15А, TO-252) — параметры хуже, но может подойти в менее требовательных схемах.
• Power Integrations (в составе их гибридных модулей, но как дискретный компонент реже).

3. Косвенные аналоги (схожие характеристики, но другой корпус или ток):

• IPD60R360P7S (Infineon) — 600В, 0.360 Ом, 18А, TO-252. Может рассматриваться для приложений до 600В.
• IRFB11N65A (Infineon/IR) — 650В, 0.38 Ом, 11А, TO-220. Менее мощный.
• Любые MOSFET 650В с током 12-20А и RDS(on) в диапазоне 0.1-0.3 Ом в корпусах TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK могут быть вариантами при изменении конструкции теплоотвода.

Рекомендации по замене:

1. Всегда сверяйтесь с Datasheet. Особое внимание уделите: RDS(on), Qg (полный заряд затвора), Coss (выходная емкость), порядку расположения выводов (Pinout) в корпусе.
2. Корпус: DPAK (TO-252) и D2PAK (TO-263) часто взаимозаменяемы по посадочному месту, но D2PAK имеет лучший теплоотвод.
3. Технология: Лучше всего искать замену в рамках того же поколения Superjunction технологий (P7, C7, M2, SuperFET II/III и т.д.) для гарантии схожих динамических характеристик.
4. Проверьте драйвер затвора. Разный заряд Qg может потребовать пересчета параметров драйвера.

Вывод: Infineon IDP15E65D1XKSA1 — это высокоэффективный и надежный MOSFET для мощных импульсных преобразователей. При поиске аналога в первую очередь стоит рассматривать другие транзисторы линейки CoolMOS™ P7 от Infineon, а затем — аналогичные по параметрам устройства от STMicroelectronics и ON Semiconductor в таком же или совместимом корпусе.