Infineon IDP30E60XKSA1

Отличный выбор! Infineon IDP30E60XKSA1 — это высокоэффективный силовой транзистор (MOSFET), спроектированный специально для требовательных приложений в силовой электронике. Вот его подробное описание и технические данные.

Краткое описание и применение

IDP30E60XKSA1 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-247, использующий передовую технологию CoolMOS™ P7 от Infineon.

• Ключевая особенность: Технология CoolMOS™ P7 обеспечивает исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) в сочетании с отличной способностью к быстрому переключению и высокой надежностью. Это достигается за счет оптимизации баланса между эффективностью, плотностью мощности и стоимостью.
• Основное назначение: Предназначен для использования в корректорах коэффициента мощности (PFC), импульсных источниках питания (SMPS), солнечных инверторах, системах ИБП (UPS) и других преобразователях мощности, работающих в жестком режиме переключения (hard switching) на частотах до нескольких десятков кГц.
• Преимущества: Позволяет создавать более компактные и эффективные решения с меньшими тепловыделением за счет низких потерь проводимости и переключения.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-247 | Стандартный 3-выводной корпус для силовых приложений. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Непрерывный ток стока (ID) | 30 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 120 А | Максимальный кратковременный импульсный ток. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.030 Ом (30 мОм) | Типовое значение при VGS=10 В, ID=15 А, Tj=25°C. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Минимум/Максимум. Обычно ~4 В. | | Заряд затвора (Qg) | ~130 нКл | Общий заряд, необходимый для полного переключения. Важен для расчета драйвера. | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 333 Вт | При температуре корпуса 25°C (на практике ограничивается системой охлаждения). | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj)| -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

Важно понимать, что полных и абсолютно идентичных аналогов (drop-in replacement) от других производителей может не существовать из-за уникальности технологии CoolMOS™ P7. Однако, по электрическим и конструктивным параметрам можно подобрать близкие аналоги.

Прямые аналоги и номенклатура Infineon:

• SPP30N60S5-07 (или S5-07): Это прямой функциональный и конструктивный аналог в том же корпусе TO-247. Часто является тем же самым кристаллом под другим коммерческим обозначением. Это первый кандидат на замену.
• IPP30N60S5-07: Версия в корпусе TO-220 FullPAK. Подходит, если требуется корпус TO-220, но с аналогичными характеристиками.
• Серия CoolMOS P7 от Infineon с близкими параметрами: Например, IDP20E65, IDP23E65 (на 650В, но с меньшим током) или IDW30E65 (в корпусе TO-247 Plus). Нужно сверяться с даташитом по RDS(on) и заряду затвора.

Совместимые/конкурирующие модели от других производителей (требуется проверка по datasheet и тестирование!):

При поиске аналога обращайте внимание на: VDSS=600-650В, ID~30А, RDS(on) ~30 мОм, технологию Superjunction, корпус TO-247.

• STMicroelectronics:
  • STW30N60M2 (MDmesh™ M2, 600В, 30А, 0.055 Ом) — более высокое RDS(on).
  • STW33N60M2 (600В, 33А, 0.065 Ом).
  • Более новые серии, например, STW48N60M6 (MDmesh™ M6, 600В, 48А, 0.065 Ом) — нужно искать по текущему току.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCH30N60 (SuperFET®, 600В, 30А, 0.085 Ом) — параметры скромнее.
  • FCP30N60 (600В, 30А, 0.065 Ом).
  • Стоит смотреть на серию SuperFET II или III.
• Vishay Siliconix:
  • SUP60N06-18 (600В, 30А, 0.18 Ом) — значительно выше RDS(on).
  • Лучше искать в их линейке E系列 или PowerPAK.
• Toshiba:
  • TK30A60W (DTMOSIV, 600В, 30А, 0.06 Ом).
• Wolfspeed (Cree): Мощные SiC MOSFET, но это уже другой класс приборов с иными характеристиками и ценой (например, C3M0060065K).

Важное предупреждение: Перед заменой на аналог обязательно необходимо:

1. Сравнить ключевые параметры в даташитах: RDS(on), Qg, VGS(th), динамические характеристики.
2. Проверить распиновку корпуса (pinout).
3. Убедиться в совместимости по рабочей частоте и паразитным индуктивностям в вашей схеме.
4. По возможности, провести натурные испытания в конечном устройстве.

Вывод: Infineon IDP30E60XKSA1 — это высококачественный и эффективный MOSFET для мощных импульсных преобразователей. Его прямым и наиболее рекомендуемым аналогом является Infineon SPP30N60S5-07. При выборе аналога от другого бренда требуется тщательный инженерный анализ.