Infineon IGW50N65F5FKSA1

Отличный выбор транзистора! IGW50N65F5FKSA1 — это высоковольтный силовой MOSFET-транзистор от Infineon, относящийся к поколению TRENCHSTOP™ 5 Fine Line, что означает оптимизацию для высокой эффективности и надежности в импульсных преобразователях.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и ключевые особенности

IGW50N65F5FKSA1 — это N-канальный MOSFET, разработанный специально для жестких коммутационных режимов (hard switching). Его основная "фишка" — исключительно низкое значение Rds(on) при высокой рабочей температуре, что напрямую ведет к снижению потерь проводимости и повышению общего КПД системы.

Ключевые преимущества поколения TRENCHSTOP™ 5:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Максимальное значение всего 50 мОм при 650В.
• Высокая стойкость к динамическому включению (dv/dt): Повышенная надежность в схемах с жесткой коммутацией и в мостовых топологиях (например, LLC, двухтактный прямоходовой преобразователь).
• Оптимизированная внутренняя диодная структура (Body Diode): Обладает хорошими характеристиками обратного восстановления (Qrr, trr), что снижает потери при коммутации.
• Планарная технология: Обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности
• Серверные БП, БП для телекоммуникационного оборудования
• Источники сварочных аппаратов
• Инверторы, корректоры коэффициента мощности (PFC)

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Структура | Транзистор с планарной ячеистой структурой | TRENCHSTOP™ 5 Fine Line | | Корпус | TO-247 | 3 вывода, изолированный монтажный фланец | | Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 50 А | При Tc=25°C (с учетом корпуса) | | Ток стока (Id) | 28 А | При Tc=100°C (более реальный рабочий параметр) | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | max. 50 мОм | При Vgs=10 В, Id=25 А, Tj=25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | typ. 60 мОм | При Vgs=10 В, Id=25 А, Tj=150°C (ключевой параметр!) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон | | Заряд затвора (Qg) | typ. 105 нКл | При Vds=400 В, Id=25 А (важно для расчета драйвера) | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | typ. 1.5 мкКл | Характеристика внутреннего диода | | Макс. температура перехода (Tj) | +175 °C | |

Важное примечание: Буквы "FKSA1" в конце партномера указывают на конкретную ревизию (версию) кристалла и упаковки. При замене рекомендуется использовать точно такую же маркировку.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-247):

Эти модели имеют идентичные или предельно близкие электрические параметры и являются прямой заменой. Отличаются, как правило, только ревизией или упаковкой.

• IGW50N65H5FKSA1 — Модель из поколения H5 (TRENCHSTOP™ 5 H5), обладает еще более низким Rds(on) (макс. 38 мОм) при прочих равных. Часто является рекомендуемым апгрейдом или используется на тех же платах.
• IWX50N65F5 — Вариант в корпусе TO-247 Plus (без изоляции). Механически совместим по выводам, но не изолирован.
• IPW50R650F5FKSA1 — Более старая версия с очень схожими параметрами (Rds(on) макс. 65 мОм). Часто встречается в старых разработках.

2. Функционально совместимые модели от других производителей (Кросс-референс):

Внимание! Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно по параметрам Qg, Rds(on) при высокой температуре, и характеристикам внутреннего диода (Qrr). Распиновка и размеры корпуса TO-247 стандартны.

• STMicroelectronics:
  • STW50N65M5 — Аналог из линейки MDmesh™ M5, 650В, 50А, Rds(on) ~45 мОм.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP50N65S3 — Мощный MOSFET из линейки SuperFET III, 650В, 50А.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP50N65E — Транзистор из серии E-Series, 650В, 50А.

Рекомендации по замене:

1. Приоритет 1: Используйте точный парт-номер IGW50N65F5FKSA1.
2. Приоритет 2: Рассмотрите более новую версию от Infineon — IGW50N65H5FKSA1 (лучшие параметры, часто обратная совместимость).
3. Приоритет 3: Если оригинал и H5 недоступны, ищите аналоги от других брендов, но проводите тщательный инженерный анализ даташитов. Обращайте внимание не только на Vds и Id, но и на динамические параметры (Qg, Qrr) и тепловое сопротивление (RthJC).
4. Важно: При замене в ремонте обязательно проверяйте и при необходимости меняйте драйвер затвора, так как разные модели могут требовать разного тока заряда/разряда затвора.

Этот транзистор — надежный и эффективный "рабочий" компонент для построения мощных и компактных импульсных источников питания.