Infineon IKP40N65H5

Infineon IKP40N65H5
Артикул: 563829

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKP40N65H5

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IKP40N65H5.

Общее описание

IKP40N65H5 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ H5 от Infineon. Этот транзистор предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как Flyback, Forward, LLC-резонансные преобразователи.

Ключевые преимущества технологии H5:

  • Высокая эффективность: Оптимизированное соотношение "заряд затвора (Qg) / сопротивление открытого канала (Rds(on))" снижает коммутационные и проводимые потери.
  • Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам (UIS) и расширенная область безопасной работы (SOA).
  • Оптимизация для жесткого переключения: Конструкция специально разработана для минимизации потерь включения/выключения в типичных для SMPS условиях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Мощный ключ | | Технология | CoolMOS™ H5 | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.040 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=20 А | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 40 А | На корпусе | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 160 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~120 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) или нет, зависит от суффикса | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Есть, с заданным временем восстановления (trr) |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпусов

Модель IKP40N65H5 может поставляться в разных корпусах, что отражено в полном парт-номере:

  • IKP40N65H5 — стандартное обозначение семейства.
  • IKP40N65H5XKSA1 — наиболее распространенный вариант в корпусе TO-220 (неизолированный).
  • Суффиксы могут указывать на тип корпуса (FullPAK - изолированный), упаковку (на ленте, в тубе) и т.д. Для точного заказа всегда используйте полный номер из даташита или спецификации поставщика.

Совместимые и аналогичные модели

При замене важно учитывать не только электрические параметры, но и топологию схемы (жесткое/мягкое переключение).

1. Прямые аналоги от Infineon (технология CoolMOS™):

  • SPP40N65H5 — аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший теплоотвод за счет большего корпуса.
  • IPD40N65H5 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD).
  • IPP40N65H5 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
  • Модели из предыдущих поколений CoolMOS (например, C7, C3, P6), но с менее оптимальными характеристиками для жесткого переключения:
    • IPP40N65C7 (CoolMOS C7)
    • IPP40N65C3 (CoolMOS C3)

2. Аналоги от других производителей (с проверкой даташита!):

  • STMicroelectronics:
    • STP40N65M5 (серия MDmesh™ M5)
    • STW40N65M5
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP40N65 (серия SuperFET®)
    • FCH40N65
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP40N65 (серия E系列)
  • Toshiba:
    • TK40N65W5 (серия DTMOSⅤ)

Ключевые области применения

  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
  • Источники питания для светодиодных драйверов (LED TV, освещение).
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в boost-топологии.
  • Инверторы и преобразователи для промышленного оборудования.

Важные замечания при замене

  1. Технология: Прямая замена на аналоги от других производителей (даже с похожими Vds и Rds(on)) без анализа схемы может привести к снижению КПД или перегреву из-за различий в динамических параметрах (Qg, Coss, trr).
  2. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220, TO-247, SMD) и необходимость изоляции (FullPAK).
  3. Проверка по даташиту: Перед заменой обязательно сравните ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg, и энергия переключения (Eoss, Er). Особенно важно для высокочастотных и LLC-схем.
  4. Драйвер: Убедитесь, что драйвер затвора способен обеспечить достаточный пиковый ток для заряда/разряда затвора (зависит от Qg).

Рекомендация: Для минимальных рисков лучшей заменой являются модели из того же поколения CoolMOS H5 от Infineon (SPP, IPD, IPP версии). В случае использования аналога другого производителя необходим тщательный инженерный анализ или тестирование в реальной схеме.

Товары из этой же категории