Infineon IKW40N120H3

Infineon IKW40N120H3
Артикул: 563847

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IKW40N120H3

Отличный выбор! IKW40N120H3 — это очень популярный и надежный IGBT-транзистор от Infineon Technologies. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и применение

IKW40N120H3 — это дискретный (отдельный) IGBT-транзистор третьего поколения (TrenchStop 3) в корпусе TO-247. Ключевые особенности, которые сделали его таким востребованным:

  • Технология TrenchStop: Позволяет достичь оптимального баланса между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию. Это означает меньшие потери на проводимость и, как следствие, более высокий КПД и меньший нагрев.
  • Высокое напряжение: 1200 В — делает его идеальным для работы в сетях 380В, 400В, 480В (трехфазных), где с учетом выбросов и перенапряжений требуется значительный запас.
  • Умеренный ток: 40А (при 100°C) — хорошо подходит для мощных преобразователей средней мощности.
  • Встроенный быстрый диод: В одном корпусе интегрирован ультрабыстрый антипараллельный диод (Emitter Controlled 4 - EC4), что упрощает проектирование инверторных схем (например, для двигателей) и защищает транзистор.
  • Высокая рабочая температура: До 175°C (макс. температура перехода).

Типичные области применения:

  • Частотно-регулируемые приводы (ЧРП, инверторы) для управления электродвигателями.
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
  • ИБП (источники бесперебойного питания) высокой мощности.
  • Солнечные инверторы.
  • Индукционные нагреватели.

Основные технические характеристики (даташит Rev. 2.3)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES = 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Непрерывный ток коллектора | IC = 40 А | При Tvj = 100°C | | Ток коллектора импульсный | ICM = 80 А | - | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat)</sub) = 2.0 В (тип.) | IC = 40А, VGE = 15В | | Полные потери на переключение (Ets) | Ets = 5.5 мДж (тип.) | IC = 40А, VCC = 600В, Tvj = 25°C | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) = 5.3 - 6.7 В | IC = 40мА, VCE = VGE | | Заряд затвора | Qg = 180 нКл (тип.) | VGE = ±15В | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC = 0.45 К/Вт | - | | Максимальная температура перехода | Tvj = 175 °C | - | | Корпус | TO-247 | 3 вывода (Lead-PF (бессвинцовый)) | | Встроенный диод | Да | Ультрабыстрый, мягкого восстановления |

Важное примечание: Для безопасной и эффективной работы необходим правильный подбор драйвера затвора с достаточным током для быстрой зарядки/разрядки емкости затвора (Qg). Рекомендуемое напряжение управления VGE обычно составляет +15В для открытия и -5...-15В для надежного закрытия.


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальное полное наименование от Infineon: IKW40N120H3XKSA1

  • IKW40N120H3 — базовая часть номера.
  • XKSA1 — суффикс, обозначающий версию, корпус и упаковку (например, TO-247, без свинца, на ленте).

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (с проверкой даташита!):

  • STMicroelectronics: STGW40H120DF3 — очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
  • Fuji Electric: Рассмотреть серию 2MBI100X-120 (двухключевые модули) или поиск дискретных IGBT на 1200В, 40А.
  • ON Semiconductor: NGTB40N120IHR (с более высоким током короткого замыкания) или FGH40N120SMD (от Fairchild, теперь ON Semi).
  • Mitsubishi Electric: CM40TF-12H (модуль) или поиск в серии дискретных.

Важно: Несмотря на схожие электрические характеристики (1200В, 40А), при замене необходимо обращать внимание на:

  1. Распиновку выводов (расположение G, C, E в корпусе) — у TO-247 она обычно стандартная.
  2. Характеристики встроенного диода (время восстановления, прямой ток).
  3. Динамические параметры (Ets, Qg), которые влияют на драйвер и потери на переключение.
  4. Рекомендуемое напряжение на затворе (VGE).

Ключевые преимущества для замены старых моделей

IKW40N120H3 часто используется для модернизации или ремонта схем, где раньше стояли:

  • Более старые IGBT второго поколения (с большими потерями).
  • Связки IGBT + отдельный диод.
  • Другие транзисторы на 1200В / 30-50А.

Его преимущества в таких случаях — более высокий КПД, меньший нагрев и повышенная надежность.

Рекомендация: Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Datasheet) Infineon на модель IKW40N120H3 перед проектированием или заменой, так как производитель может вносить уточнения.

Товары из этой же категории