Infineon IPB015N08N5ATMA1

Отличный выбор! IPB015N08N5ATMA1 — это высокоэффективный силовой MOSFET транзистор от Infineon Technologies, относящийся к семейству OptiMOS™ 5. Он широко используется в современных импульсных источниках питания, мотор-приводах и силовых преобразователях благодаря выдающемуся соотношению производительности и стоимости.

Описание

IPB015N08N5ATMA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный в популярном корпусе TO-263-7 (D²PAK-7 или DDPAK). Ключевые особенности:

• Технология OptiMOS™ 5: Пятое поколение технологий Infineon, обеспечивающее рекордно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) для данного класса напряжения, что напрямую ведет к снижению потерь на проводимость и повышению общего КПД системы.
• Напряжение 80 В: Оптимально для применений в шинах питания 48 В (типично для телекоммуникационного оборудования, промышленных систем, мощных серверных БП) и в цепях, где присутствуют выбросы напряжения.
• Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и улучшенным динамическим характеристикам (заряды затвора и выходная емкость).
• Корпус с 7 выводами: В отличие от стандартного D²PAK с 3 выводами, имеет дополнительные пины (Source и Drain), что улучшает токовые возможности, отвод тепла и снижает паразитную индуктивность в силовой цепи.
• Соответствие RoHS и AEC-Q101: Подходит для использования в автомобильной электронике (при условии соответствующей квалификации модуля/системы).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности (особенно синхронное выпрямение на вторичной стороне).
• Мотор-приводы и контроллеры двигателей (например, в электромобилях, дронах, промышленных станках).
• DC-DC преобразователи в телекоммуникациях и серверном оборудовании.
• Системы управления батареями (BMS).
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement mode | | Семейство | Infineon OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-263-7 (D²PAK-7) | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 80 В | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 1.5 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 75 А | | | 1.8 мОм (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 50 А | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 195 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 780 А | | | Напряжение отсечки затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (V_GS) | ±20 В | | | Полный заряд затвора (Q_g) | ~ 140 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В | | Входная емкость (C_iss) | ~ 5500 пФ (тип.) | | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (R_thJC) | 0.45 °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (T_J) | +175 °C | | | Диод обратного восстановления (Q_rr) | Очень низкое | Важно для синхронного выпрямения |

Part Numbers (Парт-номера и аналоги)

Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах. Прямые аналоги в других корпусах от Infineon:

• IPB015N08N5ATMA1 – TO-263-7 (D²PAK-7) (основной, с 7 выводами)
• IPB015N08N5 – Без суффикса, обычно также относится к TO-263-7.
• IPD015N08N5ATMA1 – TO-252-3 (DPAK) (3-выводной, для менее требовательных применений).
• IPT015N08N5ATMA1 – TO-262-3 (3-выводной).
• IPP015N08N5ATMA1 – TO-220-3 (классический корпус TO-220).

Внимание: При замене корпуса обязательно проверяйте возможность отвода тепла и монтаж на плату, так как токовые и тепловые характеристики отличаются.

Совместимые модели / Конкуренты и аналоги

При поиске замены или аналога следует ориентироваться на ключевые параметры: 80В, 1.5-2.0 мОм, корпус D²PAK-7 (или аналогичный).

Аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

1. STMicroelectronics:

   • STL160N8F7AG (STripFET F7, 80V, 1.6 мОм, PowerFLAT 8x8) - другой корпус, но аналогичный класс.
   • STP160N8F7 (TO-220) / STW160N8F7 (TO-247).

2. ON Semiconductor (ныне часть onsemi):

   • FDBL86062_F085 (85V, 1.6 мОм, TO-263-7) - практически прямой конкурент.
   • NTMFS5C670N (80V, 1.7 мОм, D²PAK-7).

3. Vishay Siliconix:

   • SIR872ADP-T1-GE3 (80V, 1.7 мОм, PowerPAK® 8x8).
   • SQJQ874E (80V, 1.6 мОм, PowerPAK 8x8 Dual).

4. Alpha & Omega Semiconductor (AOS):

   • AOTL670A60 (60V, но часто используется в тех же цепях 48В, 1.7 мОм, TO-263-7).

5. Nexperia:

   • PSMN1R8-80YS,115 (80V, 1.8 мОм, LFPAK56 - корпус, аналогичный по характеристикам).

Важные замечания по совместимости:

• Всегда сверяйтесь с даташитом! Даже при схожих параметрах RDS(on) и напряжении могут критически отличаться динамические характеристики (Q_g, Q_gd, Q_rr), пороговое напряжение и внутренняя индуктивность, что повлияет на работу на высоких частотах.
• Проверяйте распиновку (pinout)! Особенно при переходе между корпусами с разным количеством выводов (например, с D²PAK-7 на D²PAK-3 или TO-220).
• Термическая характеристика: Убедитесь, что новый компонент способен рассеивать необходимое количество тепла в вашей конструкции.

Вывод: IPB015N08N5ATMA1 — это мощный, современный и очень популярный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для эффективных решений на 80В. При поиске аналога в первую очередь стоит рассматривать прямые замены от Infineon в других корпусах, а затем — продукты линейки OptiMOS™ 5/6 от конкурентов с акцентом на полное сравнение электрических и тепловых параметров по таблицам данных.