Infineon IPD220N06L3G
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPD220N06L3G
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPD220N06L3G.
Описание
Infineon IPD220N06L3G — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Он предназначен для применений, где критически важны высокая эффективность и надежность, особенно в цепях низкого напряжения.
Ключевые особенности и преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 2.2 мОм при 10 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
- Высокая энергоэффективность: Технология OptiMOS™ 3 оптимизирована для минимизации коммутационных и статических потерь.
- Высокая стойкость к перегрузкам: Сочетание низкого RDS(on) и хорошего теплового пакета обеспечивает высокую стойкость к импульсным токам.
- Расширенный безопасный рабочий режим (SOA): Позволяет устройству безопасно работать в условиях, где одновременно присутствуют высокое напряжение и ток, что важно для индуктивных нагрузок.
- Высокая надежность: Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает хороший отвод тепла. Устройство не содержит свинца и соответствует RoHS.
- Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении на затворе VGS = 10 В, но имеет низкий порог открытия, что позволяет работать и с микроконтроллерами (5 В) с некоторыми оговорками (может не полностью открыться, что приведет к повышенному RDS(on) и нагреву).
Основные области применения:
- Системы управления двигателями (например, в автомобильных приводах стеклоподъемников, насосах, вентиляторах).
- DC-DC преобразователи (низковольтные шины питания).
- Управление сильноточными нагрузками (светодиодные драйверы, реле, соленоиды).
- Коммутация в источниках бесперебойного питания (ИБП).
- Активная защита от обратной полярности (схемы "идеального диода").
Технические характеристики (кратко)
| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | | Стойкость к напряжению (VDSS) | 60 В | | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 220 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.2 мОм | VGS = 10 В, ID = 110 А | | | 2.5 мОм | VGS = 4.5 В, ID = 110 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 2.6 В | Тип. 2.2 В | | Общий заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 166 Вт | При Tc = 25°C | | Диапазон рабочей температуры | -55 ... +175 °C | |
Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели
Прямые аналоги и совместимые модели подбираются по ключевым параметрам: VDSS (60В), ID (220А), RDS(on) (~2.2мОм), корпус TO-252/DPAK и логика управления.
1. Прямые аналоги от Infineon (в той же серии или аналогичные по параметрам):
- IPP220N06N3G — очень близкий аналог из серии OptiMOS™ 3, с практически идентичными характеристиками.
- IPD200N06L3G — немного меньше максимальный ток (200А), но очень близкие параметры.
- IPD180N06L3G — ток 180А, остальное похоже.
- IPP110N06N3 — более старый аналог в корпусе TO-220, но с другими тепловыми характеристиками.
2. Совместимые модели/аналоги от других производителей:
При поиске аналогов от других брендов важно сверять не только базовые параметры, но и динамические характеристики (Qg, Ciss) для критичных к скорости приложений.
- ON Semiconductor (ныне onsemi):
- NTMFS5C604NL — 60В, 210А, 2.1 мОм, DPAK.
- Vishay / Siliconix:
- SQJ420EP-T1_GE3 — 60В, 200А, 2.2 мОм, PowerPAK® SO-8 (требует переразводки платы, но электрически и по мощности совместим).
- STMicroelectronics:
- STL220N6F7 — 60В, 220А, 2.0 мОм, PowerFLAT 5x6 (требует переразводки).
- Аналоги в корпусе DPAK у ST обычно имеют меньший ток для этого класса RDS(on).
- Nexperia:
- PSMN3R6-60YS — 60В, 210А, 3.6 мОм, D2PAK (больший корпус, но часто используется в схожих применениях).
- Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
- AON6262 — 60В, 210А, 2.3 мОм, DFN 5x6 (требует переразводки).
Важное примечание по совместимости:
- Корпус: Указанные аналоги могут быть в корпусах DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263) или в более современных SMD-корпусах (PowerPAK, PowerFLAT, DFN). Перед заменой необходимо убедиться в совместимости посадочного места и тепловых характеристик.
- Работа от 5В: Если управление идет напрямую от МК (5В), лучше искать MOSFET с низким порогом (Logic Level или Enhanced Logic Level) и гарантированно низким RDS(on) при VGS=4.5В. IPD220N06L3G при 4.5В имеет RDS(on)=2.5 мОм, что неплохо, но не все аналоги будут так же эффективны.
- Динамические параметры: Для ШИМ-управления (например, в моторных приводах или преобразователях) критически важно сравнивать заряды затвора (Qg) и емкости (Ciss, Coss), так как они влияют на скорость переключения и потери на драйвере.
Рекомендация: При замене всегда изучайте даташит (datasheet) конкретного аналога, особенно разделы Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Typical Performance Characteristics.