Infineon IPD65R1K4C6ATMA1

Отличный выбор! IPD65R1K4C6ATMA1 — это мощный и эффективный силовой MOSFET от Infineon, широко используемый в импульсных источниках питания, моторных приводах и DC-DC преобразователях.

Описание

IPD65R1K4C6ATMA1 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это ключевое семейство от Infineon, оптимизированное для работы в жестких режимах квазирезонансных (QR) и обратноходовых (Flyback) преобразователей, которые доминируют в современных адаптерах и блоках питания для потребительской электроники.

Основная "фишка" и преимущество:

• Технология CoolMOS™ C6: Обеспечивает исключительно низкое значение Rds(on) при минимальном запасе по энергии в затворе (Qg) и заряде выходной емкости (Eoss). На практике это означает:
  • Высокий КПД: Меньшие потери на проводимость и переключение.
  • Меньше тепла: Упрощает конструкцию теплоотвода.
  • Возможность работы на более высоких частотах: Позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Назначение: Идеально подходит для сетевых источников питания (SMPS) мощностью до 250-300 Вт, особенно в топологиях QR Flyback, Active Clamp Flyback (ACF) и LLC-резонансных полумостах.

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET, технология Superjunction (CoolMOS™ C6).
• Корпус: TO-220 (полноразмерный, с отверстием для крепления радиатора).
• Полярность: N-Channel.
• Напряжение сток-исток (Vds): 650 В.
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.140 Ом (макс.) при Vgs=10V и токе 12.5А.
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 23.5 А (при Tc=100°C).
• Импульсный ток стока (Id_pulse): 94 А.
• Заряд затвора (Qg): 95 нКл (тип., ключевой параметр для драйвера).
• Энергия включения (Eoss): 42 мкДж (очень низкое значение, снижает потери при переключении).
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.5 В (тип.).

Ключевые особенности технологии C6:

• Оптимизированный компромисс Qg / Rds(on) / Eoss.
• Высокая устойчивость к dv/dt (скорости нарастания напряжения).
• Встроенный диод обратного восстановления с быстрым восстановлением.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. Указанный вами номер — полный порядковый номер для заказа.

• Основной парт-номер: IPD65R1K4C6ATMA1
  • IPD — серия (Infineon Power Device)
  • 65 — 650V
  • R1K4 — Rds(on) ~ 0.140 Ом (1K4 = 1.4 * 0.1 = 0.14)
  • C6 — поколение CoolMOS
  • A — вариант/ревизия
  • TMA1 — корпус TO-220, упаковка на катушке (Tape & Reel), свинцовосодержащий (Pb)

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: Важно искать аналоги не только по напряжению и току, но и по динамическим параметрам (Qg, Eoss) для сохранения эффективности схемы.

1. От Infineon (в других корпусах):

   • IPD65R1K4C6 — базовая часть номера, без указания корпуса.
   • IPP65R1K4C6 — в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
   • IPW65R1K4C6 — в корпусе TO-247.

2. От STMicroelectronics:

   • STF23N65M6 (серия MDmesh™ M6) — очень близкий аналог по характеристикам и назначению.
   • STP23N65M6 (в TO-220).

3. От ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP23N65S (серия SuperFET® III) — конкурентная технология, хороший аналог.
   • FCPF23N65S

4. От Toshiba:

   • TK23A65W (серия DTMOS VI).

5. Общие аналоги (по напряжению и току, но могут отличаться динамикой):

   • IRF23N65K (International Rectifier, серия K).
   • SPW23N65C3 (Infineon, но предыдущее поколение C3).

Важное примечание по замене

При замене IPD65R1K4C6ATMA1 на аналог необходимо обязательно проверить:

1. Распиновку корпуса (особенно если меняется производитель и серия).
2. Параметры драйвера затвора: Заряд (Qg) и пороговое напряжение (Vgs(th)) должны быть совместимы.
3. Динамические характеристики: Энергия Eoss и Coss влияют на потери при переключении.
4. Скорость внутреннего диода (Qrr): Важно для обратноходовых схем.

Вывод: IPD65R1K4C6ATMA1 — это высокотехнологичный и эффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для современных импульсных блоков питания средней мощности. Его прямые аналоги — это, в первую очередь, транзисторы того же класса от ST (M6) и ON Semi (SuperFET III), а также другие корпусные исполнения от самого Infineon.