Infineon IPN80R1K4P7

Отличный выбор! IPN80R1K4P7 — это высокотехнологичный силовой MOSFET транзистор от Infineon, относящийся к их флагманской линейке OptiMOS™ 7 80V. Он создан для максимальной эффективности в самых требовательных приложениях.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание и ключевые особенности

IPN80R1K4P7 — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, разработанный с использованием передового 7-го поколения технологии OptiMOS.

Основное предназначение: Высокоэффективные силовые преобразователи, где критически важны минимальные потери на проводимость и переключение.

Ключевые области применения:

• Системы питания телекоммуникаций и серверов: Высокоплотные источники питания (SMPS), особенно в синхронных выпрямителях на вторичной стороне и цепях OR-ing.
• Мощные DC-DC преобразователи: Включая понижающие (buck), повышающие (boost) и мостовые топологии.
• Промышленная силовая электроника: Приводы моторов, сварочное оборудование, источники бесперебойного питания (ИБП).
• Автомобильная электроника (не связанная с безопасностью): Высокомощные бортовые преобразователи.

Преимущества OptiMOS™ 7:

• Рекордно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 1.4 мОм при 10В, что напрямую снижает потери на проводимость и нагрев.
• Высокая эффективность переключения: Оптимизированные динамические характеристики (заряды затвора Qg, выходная емкость Coss) позволяют работать на высоких частотах (сотни кГц) с минимальными потерями на переключение.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам: Гарантированная стойкость в режиме Unclamped Inductive Switching (UIS), что повышает надежность в индуктивных цепях.
• Высокотемпературная стабильность: Параметры хорошо держатся при повышенных температурах кристалла.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Стойкое напряжение "сток-исток" (VDS) | 80 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 195 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (IDpulse) | 780 А | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.4 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 50 А | | | 1.8 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 50 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 - 4.0 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 170 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Выходная емкость (Coss) | 1150 пФ (тип.) | | | Энергия для переключения (Eoss) | 48 мкДж (тип.) | Важный параметр для мягкого переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 333 Вт | При Tc = 25°C | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 °C до +175 °C | |

Part-номера (артикулы Infineon)

Один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах для различных задач монтажа. Основные парт-номера из этой семейной группы:

• IPN80R1K4P7 - Корпус TO-220. Основной номер для ручного или волнового монтажа.
• IPD80R1K4P7 - Корпус TO-252 (DPAK). Для поверхностного монтажа (SMD), популярен в серийном производстве.
• IPP80R1K4P7 - Корпус TO-220 FullPAK (полностью изолированный корпус). Не требует изолирующей прокладки при установке на радиатор, что улучшает тепловой контакт.

Также существуют версии на катулах/в лентах для автоматических установщиков (например, IPN80R1K4P7XKSA1).

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены или аналога необходимо учитывать ключевые параметры: VDS, RDS(on), Qg, ID и корпус.

Прямые аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

• STMicroelectronics:
  • STL160N8F7 (80V, 1.3 мОм, 160A, TO-220) - один из самых сильных конкурентов в этом классе.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDPC8014S (80V, 1.4 мОм, 195A, TO-220) - практически полный аналог.
• Vishay Siliconix:
  • SQJ480EP-T1_GE3 (80V, 1.4 мОм, 195A, TO-220) - высококачественный аналог.
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOTF195B14L (80V, 1.4 мОм, 195A, TO-220F) - достойный аналог в изолированном корпусе.

Близкие по характеристикам (могут отличаться динамическими параметрами):

• Infineon OptiMOS™ 6 (предыдущее поколение):
  • IPP060N08N G (80V, 0.6 мОм, но в более дорогом классе) - имеет лучшее RDS(on), но может отличаться по динамике.
  • IPB060N08N G (в корпусе D2PAK).
• Другие серии 80В от конкурентов: Модели от Nexperia, Toshiba, MagnaChip с близкими значениями RDS(on) и тока.

Важное замечание по совместимости: Перед заменой обязательно сверяйте:

1. Распиновку (pinout) корпуса.
2. Динамические характеристики (Qg, Ciss, Coss, Crss) для высокочастотных схем.
3. Рекомендуемую область рабочей точки на графиках в даташите.

Вывод: IPN80R1K4P7 — это топовый компонент для создания высокоэффективных и компактных источников питания. Его выбор оправдан в проектах, где на первом месте стоит КПД и тепловой режим. Наличие аналогов позволяет оптимизировать конструкцию по цене и доступности.