Комплектующие для промышленного оборудования Программное обеспечение Для автомобилей Запчасти Сельхозназначение
Корзина
@
Регистрация Забыли пароль

Infineon IPN80R2K0P7

Infineon IPN80R2K0P7
Артикул: 564003
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Варианты оплат Варианты доставки

Описание Infineon IPN80R2K0P7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPN80R2K0P7.

Общее описание

IPN80R2K0P7 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Эта серия разработана как универсальное решение, обеспечивающее оптимальный баланс между эффективностью, стоимостью и надежностью. Ключевые целевые применения — импульсные источники питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, Flyback, Forward, PFC-каскады), а также преобразователи для промышленного и потребительского оборудования.

Основные преимущества технологии P7, воплощенные в этой модели:

  • Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и улучшенные динамические характеристики снижают коммутационные потери.
  • Высокая надежность: Расширенная область безопасной работы (SOA) и отличная устойчивость к перегрузкам.
  • Улучшенное отношение цена/качество: Технология оптимизирована для снижения общей стоимости системы.
  • Высокая стабильность параметров: Обеспечивает предсказуемую работу в течение всего срока службы.

Ключевые технические характеристики

В обозначении модели IPN80R2K0P7 закодированы основные параметры:

  • IPN: Префикс Infineon для MOSFET в корпусе TO-220.
  • 80: Указывает на напряжение 800 В (столько-то * 10).
  • R2K0: Обозначает сопротивление открытого канала RDS(on) = 2.0 Ом (2K0 = 2.00 Ом) при определенных условиях.
  • P7: Семейство технологии — CoolMOS™ P7.

Основные электрические параметры (при Tj=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-220 | Классический корпус для сквозного монтажа. | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 800 В | Максимальное напряжение отключения. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 2.0 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 1.5 А. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~2.8 Ом (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 1.2 А (важно для работы от низких управляющих напряжений). | | Постоянный ток стока (ID) | 3.0 А | При Tc = 25°C. | | Импульсный ток стока (IDM) | 12 А | | | Мощность рассеяния (PD) | 42 Вт | При Tc = 25°C (ограничено корпусом). | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | Типовое 3.8 В. | | Заряд затвора (Qg) | ~13 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Время включения (td(on)+tr) | ~15 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)+tf) | ~35 нс (тип.) | | | Диод "сток-исток" | Встроенный быстрый восстановительный диод (Body Diode) | |

Тепловые параметры:

  • Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC): 3.0 К/Вт
  • Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Одна и та же кристалл-технология часто выпускается в разных корпусных исполнениях. Для IPN80R2K0P7 существуют аналоги:

  • IPN80R2K0P7XKSA1 — полный парт-номер, включающий информацию о лотке/упаковке.
  • IPP80R2K0P7 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный от радиатора пластиковый корпус).
  • IPD80R2K0P7 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD) с высокой рассеиваемой мощностью.
  • SPP80R2K0P7 — возможный аналог в корпусе TO-3PF (аналогичен TO-247).

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога следует ориентироваться на ключевые параметры: VDSS=800В, RDS(on) ~2.0 Ом, ID ~3А, корпус TO-220.

Прямые аналоги от других производителей (требуется проверка даташитов и выводов):

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP8NK80Z (или STP8NK80ZFP для FullPAK) | Классический аналог, 800В / 2.2 Ом / 4.5А. Широко распространен. | | ON Semiconductor | FCP8N60, FQP8N60C | 600В, но часто используется в тех же схемах с запасом. Важно: Напряжение ниже. Более точный аналог по напряжению — FQP8N80C (800В / 2.5 Ом). | | Vishay / Siliconix | IRFPE50, SUD80N08-20 | Нужна проверка наличия и цены. | | Fairchild (ON Semi) | FQPF8N80C | 800В / 2.5 Ом. | | Toshiba | 2SK3875 | Требуется проверка наличия на рынке. |

Важные замечания по совместимости:

  1. Всегда сверяйте datasheet! Перед заменой необходимо проверить:
    • Распиновку (pinout) корпуса. В TO-220 она чаще всего стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
    • Динамические характеристики (заряды затвора, емкости, времена переключения) — они критичны для высокочастотных преобразователей.
    • Характеристики встроенного диода (скорость восстановления).
  2. Корпус: Обращайте внимание на суффиксы (FullPAK, D²PAK), так как они определяют способ монтажа и необходимость изоляции.
  3. Технология: CoolMOS P7 имеет специфические характеристики SOA. Прямая замена на MOSFET другого технологического семейства (например, Superjunction от другого производителя) может потребовать проверки работы в конкретной схеме, особенно на граничных режимах.

Вывод: Infineon IPN80R2K0P7 — это надежный и эффективный транзистор для построения сетевых импульсных источников питания мощностью примерно до 150-250 Вт (в зависимости от топологии и условий охлаждения). При замене наиболее близким и проверенным прямым аналогом часто является STP8NK80ZFP.

Товары из этой же категории