Infineon IPP120N20NFD

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPP120N20NFD.

Общее описание

Infineon IPP120N20NFD — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 5. Это устройство предназначено для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевая особенность: Он принадлежит к семейству N-channel, 200V, Logic Level, что означает возможность управления напряжением затвора от стандартных 5В или 12В логических микроконтроллеров (при полном открытии), что упрощает схемотехнику драйвера.

Основные области применения:

• Источники питания (SMPS): особенно в синхронных выпрямителях и первичных ключах.
• DC-DC преобразователи (например, в серверном и телекоммуникационном оборудовании).
• Моторные приводы и контроллеры (H-мосты, инверторы).
• Системы сварочного оборудования.
• Инверторы (UPS, солнечные инверторы).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор. | | Схема выводов | Стандартная: 1-Затвор (G), 2-Сток (D), 3-Исток (S) | | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 12.0 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При V_GS = 10 В, I_D = 10 А. Очень низкое значение, что минимизирует потери на нагрев. | | Максимальный постоянный ток стока (I_D @ 25°C) | 45 А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 180 А | Кратковременная перегрузка по току. | | Напряжение управления затвором (V_GS) | ±20 В (макс.) | Диапазон: от -20В до +20В. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В. Низкое значение позволяет работе от логических уровней. | | Общий заряд затвора (Q_g) | ~ 52 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В. Важный параметр для расчета драйвера. | | Время включения (t_d(on) + t_r) | ~ 15 нс (тип.) | Высокая скорость переключения. | | Время выключения (t_d(off) + t_f) | ~ 37 нс (тип.) | | | Диод "Сток-Исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: I_SD = 45 A, V_SD = 1.4 В (тип.). | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 166 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается возможностью теплоотвода. | | Температура перехода (T_j) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Один и тот же кристалл (чип) часто поставляется в разных корпусах для разных задач монтажа.

• IPP120N20NFDSA1 — Основной номер в корпусе TO-220. Буквы SA1 указывают на упаковку (на ленте и в катушке) и версию.
• IPB120N20NFD — Тот же транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK). Это корпус для поверхностного монтажа (SMD), более компактный, но с хорошим теплоотводом через площадку на плате.
• IPU120N20NFD — Тот же транзистор в корпусе TO-251 (IPAK). Промежуточный вариант между сквозным и SMD монтажом.

Важно: При замене на другой корпус необходимо учитывать различия в тепловом сопротивлении (R_thJC) и способе монтажа.

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При поиске аналога или замены следует ориентироваться на ключевые параметры: V_DSS = 200В, I_D > 40А, R_DS(on) ~ 12 мОм, корпус TO-220 и логический уровень управления.

От Infineon (семейство OptiMOS 5/6):

• IPP120N20N5 (OptiMOS 5, предыдущая версия с очень схожими параметрами).
• IPP110N20N3 (OptiMOS 3, старее, R_DS(on) может быть выше).
• IPP60R199CP7 (CoolMOS, для другого типа задач, но в том же диапазоне напряжений).

От других производителей (прямые аналоги):

• STMicroelectronics: STP120N20F6, STW120N20F5 (серия FD5/F6).
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP120N20, FDP61N20.
• Vishay (Siliconix): SUP120N20-18 (очень близкий аналог по параметрам).
• IR (International Rectifier): IRF1407, IRFB4227 (требуется проверка по V_GS(th)).
• Nexperia: Не имеет прямых аналогов в этом мощном сегменте.

Важные замечания при замене:

1. Всегда сверяйте даташиты. Особенно графики R_DS(on) от температуры и от V_GS, а также динамические характеристики (Q_g, C_iss).
2. Корпус. Убедитесь, что геометрия выводов и монтажное отверстие совпадают (особенно для TO-220).
3. Пороговое напряжение. Если в вашей схеме затвор управляется напряжением 5В, критически важно, чтобы аналог был логического уровня (Logic Level).
4. Встроенный диод. Его характеристики (скорость восстановления) важны для индуктивных нагрузок.

Вывод: Infineon IPP120N20NFD — это высококачественный, современный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для применений на 200В. Его популярность обусловлена отличным балансом цены, производительности и надежности. При замене аналогами рекомендуется в первую очередь рассматривать модели от STMicroelectronics и Vishay с аналогичными параметрами.