Infineon IPP60R099C6XKSA1

Отличный выбор! IPP60R099C6XKSA1 — это очень популярный и передовой мощный полевой МОП-транзистор (MOSFET) от Infineon, известный своим рекордно низким сопротивлением в открытом состоянии. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IPP60R099C6XKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по суперсовременной технологии CoolMOS™ C6. Это третье поколение "сверхпереходных" (Superjunction) транзисторов, основной фишкой которых является невероятно низкое сопротивление канала RDS(on) при сохранении высокой скорости переключения.

Ключевая особенность: Технология C6 оптимизирована для работы в резонансных и квазирезонансных схемах (например, LLC-конвертеры), где критически важны низкие коммутационные потери и высокая эффективность. Транзистор обладает отличным соотношением "емкость сток-исток / сопротивление", что минимизирует потери как на проводимость, так и на переключение.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности
• Серверные, телекоммуникационные и промышленные БП
• Плазменные и ЖК-телевизоры
• Зарядные устройства для электромобилей
• Источники сварочного тока

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET, Superjunction (CoolMOS™ C6)
• Корпус: TO-220
• Напряжение "сток-исток" (Vds): 600 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 20 А
• Ток стока (Id) при 100°C: 12 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.099 Ом (макс.) при Vgs=10 В — это ключевой параметр!
• Заряд затвора (Qg): ~ 28 нКл (тип.) — низкий заряд для снижения потерь на управление.
• Емкость "сток-исток" (Coss): ~ 36 пФ (эфф.) — малая емкость для быстрого переключения.
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.5 - 4.5 В

Полные технические характеристики (из даташита)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | | | Непрерывный ток стока | I_D | 20 А | T_C = 25°C | | | | 12 А | T_C = 100°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 80 А | | | Сопротивление "сток-исток" | R_DS(on) | 0.099 Ом (макс.) | V_GS = 10 В | | | | 0.085 Ом (тип.) | V_GS = 10 В | | | | 0.130 Ом (макс.) | V_GS = 4.5 В | | Общий заряд затвора | Q_g | 28 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Эффективная выходная емкость | C_oss(eff) | 36 пФ (тип.) | Важно для LLC | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.5 - 4.5 В | I_D = 1 мА | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±30 В | | | Диапазон рабочей температуры | T_J | от -55 до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разными префиксами. Вот основные парт-номера для этого транзистора:

• Основной номер: IPP60R099C6XKSA1

  • IPP — серия (Infineon Power Package)
  • 60 — 600В
  • R099 — Rds(on) ≈ 0.099 Ом
  • C6 — поколение CoolMOS
  • XK — версия/ревизия кристалла
  • SA1 — корпус TO-220, без изолирующей прокладки, свинцовосодержащий

• Тот же кристалл в другом корпусе:

  • IPD60R099C6XKSA1 — корпус DPAK (TO-252), для поверхностного монтажа.
  • IPW60R099C6XKSA1 — корпус TO-247. Имеет лучший теплоотвод за счет больших размеров.

• Прямые аналоги от Infineon (очень близкие по параметрам, из той же линейки C6):

  • IPP60R095C6 (Rds(on)=0.095 Ом) — практически идентичен, чуть лучше сопротивление.
  • IPP60R125C6 (Rds(on)=0.125 Ом) — немного дешевле, сопротивление чуть выше.
  • IPP60R075C6 (Rds(on)=0.075 Ом) — более высокий класс, сопротивление еще ниже.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске замены важно смотреть не только на Rds(on) и напряжение, но и на динамические параметры (Coss, Qg) и целевое применение (C6 заточен под LLC). Прямые 100% аналоги редки, но есть очень близкие по характеристикам конкуренты:

1. STMicroelectronics:

   • STF20N60M6 (MDmesh™ M6) — 600В, 0.105 Ом, также оптимизирован для LLC.
   • STW20N60M6 — в корпусе TO-247.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP20N60 / FCPF20N60 (SuperFET® III) — 600В, ~0.105-0.115 Ом. Мощная линейка для жесткого переключения, но может подойти.
   • FCH20N60 — аналог в корпусе TO-220.

3. Toshiba:

   • TK20A60W (DTMOS™ VI) — 600В, 0.105 Ом.

4. VISHAY Siliconix:

   • SUD20N60-125 (Super Junction) — 600В, 0.125 Ом.

Важное предупреждение: Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно разделы, касающиеся заряда затвора (Qg), емкостей (Ciss, Coss, Crss) и динамических характеристик (прямое и обратное восстановление). Несмотря на схожие статические параметры, поведение в высокочастотной схеме может отличаться, что потребует корректировки драйвера или схемы управления. Наилучшей заменой всегда являются транзисторы из той же технологической линейки (CoolMOS C6) или аналоги, явно заявленные для резонансных преобразователей.