Infineon IPP60R125CP

Infineon IPP60R125CP
Артикул: 564033

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPP60R125CP

Отличный выбор! IPP60R125CP — это один из классических и хорошо зарекомендовавших себя мощных полевых транзисторов (MOSFET) от Infineon Technologies. Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание и основные особенности

IPP60R125CP — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ CP (CoolMOS™ поколения CP). Эта серия является эволюцией знаменитой линейки CoolMOS™ и оптимизирована для ключевых режимов работы в импульсных источниках питания (SMPS).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS CP:

  • Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)) при высокой скорости переключения, что минимизирует как проводимые, так и коммутационные потери.
  • Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Идеально подходит для топологий, где транзистор переключается при ненулевом напряжении на стоке (например, прямоходовые, мостовые, полумостовые преобразователи).
  • Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам и перегрузкам.
  • Сочетание цены и производительности: Одно из лучших решений в своем классе на момент активного производства.

Основная сфера применения:

  • Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, телекоммуникационного оборудования.
  • Источники питания для промышленного оборудования.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно на частотах выше 50 кГц.
  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры).

Технические характеристики (кратко, основные параметры)

  • Тип: N-канальный MOSFET, технология CoolMOS™ CP.
  • Корпус: TO-220 (самый распространенный сквозной монтаж).
  • Полярность: N-Channel.
  • Напряжение "сток-исток" (V DSS): 600 В.
  • Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on) @ 10V): 0.125 Ом (макс.) при токе стока 25.5 А. Это значение указано в названии модели (125 = 0.125 Ом).
  • Максимальный постоянный ток стока (I D @ 25°C): 25.5 А.
  • Импульсный ток стока (I DM): 102 А.
  • Мощность рассеяния (P tot): 156 Вт (при температуре корпуса 25°C).
  • Заряд затвора (Q g, типовое): 75 нКл (относительно высокий заряд, что требует внимательного расчета драйвера).
  • Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): 3.5 - 5.0 В.

Важное примечание: Полные и точные характеристики всегда следует смотреть в официальном даташите (datasheet) на конкретную ревизию прибора.


Part Number (Парт-номера) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

Семейство CoolMOS CP с такими же ключевыми параметрами (600В, ~0.125 Ом) выпускалось в разных корпусах. Полный номер формируется как IPP[Корпус]R125C[Доп. индекс].

  • IPP60R125C6 / IPP60R125C3 — могут иметь небольшие отличия в тестовых условиях или ревизии кристалла. Требуется проверка по даташиту на идентичность.
  • SPP60R125C3 — возможно, версия для другого сегмента рынка.
  • Для поверхностного монтажа (SMD):
    • IPD60R125C6 в корпусе TO-252 (DPAK).
    • IPB60R125C6 в корпусе TO-263 (D2PAK).

2. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей (Функциональные аналоги):

При поиске замены необходимо сравнивать V DSS, R DS(on), Q g, корпус и динамические характеристики.

  • STMicroelectronics:
    • STP20NM60FD (600В, 0.19 Ом, TO-220) — менее эффективный, но часто используется.
    • STW20NM60FD (в корпусе TO-247).
    • Более современный аналог из серии MDmesh™ M2 (например, STF20NM60M2).
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP20N60 (600В, 0.19 Ом, TO-220) из серии SuperFET®.
    • FCH20N60 (600В, 0.19 Ом, TO-220).
    • Более современные серии SuperJunction MOSFETs.
  • Vishay Siliconix:
    • Модели из серии SUPERJUNCTION (например, SUP60N20-18 - 600В, 0.18 Ом).
  • IXYS (ныне часть Littelfuse):
    • Модели с высоким напряжением и низким Rds(on).

3. Важные замечания по замене и совместимости:

  1. Не всегда "цифра в цифру": Даже если параметры Vds и Rds(on) совпадают, могут существенно различаться внутренняя емкость (C iss, C oss, C rss) и заряд затвора (Q g). Это напрямую влияет на скорость переключения, нагрев драйвера и общую эффективность схемы.
  2. Проверка распиновки (Pinout): Убедитесь, что цоколевка (расположение выводов Gate, Drain, Source) у аналога полностью совпадает.
  3. Даташит — закон: Перед заменой обязательно сравните ключевые графики из даташита, особенно зависимости Rds(on) от тока и температуры, а также характеристики обратного диода (body diode).
  4. Современные аналоги: С момента выхода CP-поколения появились более новые и эффективные серии от Infineon: CoolMOS™ C7, CoolMOS™ CFD7, CoolMOS™ G7. Они могут предложить лучшие характеристики, но требуют проверки совместимости в конкретной схеме (особенно по уровням управляющего напряжения и динамике).

Рекомендация: Для гарантированной работоспособности критичных узлов лучше использовать прямые аналоги Infineon (пункт 1). Если их нет, выбирайте функциональные аналоги от крупных производителей (пункт 2) с тщательным анализом даташитов.

Товары из этой же категории