Infineon IPP60R160C6

Отличный выбор! IPP60R160C6 — это очень популярный и сбалансированный силовой MOSFET транзистор от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

IPP60R160C6 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Это третье поколение суперджекшн-транзисторов (Superjunction SJ), оптимизированное для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Ключевая философия линейки C6: Идеальный баланс между тремя критически важными параметрами:

1. Сопротивление открытого канала (RDS(on)): Низкое для минимизации потерь проводимости.
2. Заряд (Qg): Малый для минимизации потерь на переключение и упрощения драйвера.
3. Заряд обратного восстановления (Qrr): Очень низкий для работы в качестве синхронного выпрямителя (в LLC, SR-приложениях) и снижения потерь в диоде.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности: серверные, телекоммуникационные, промышленные.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме (CrM) и переходном режиме (TM).
• Резонансные преобразователи (LLC-полумост, полный мост) в качестве синхронного выпрямителя (SR) — одно из лучших применений благодаря низкому Qrr.
• Инверторы, приводы двигателей.

Корпус: TO-220 FullPAK (изолированный). Это позволяет монтировать транзистор на радиатор без изолирующей прокладки, что улучшает тепловой отвод.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Superjunction (CoolMOS C6) | — | | | Корпус | TO-220 FullPAK | — | Изолированный | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 | В | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.16 | Ом | При VGS=10В, I=15.5А (тип.) | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 15.5 | А | При Tc=25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 62 | А | | | Заряд затвора (Qg) | 46 | нКл | При VGS=10В (тип.) — Низкий заряд | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | 0.95 | мкКл | При di/dt=100 A/µs (тип.) — Очень низкий заряд | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 | В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 | Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 | °C | |

Ключевые преимущества:

• Высокая эффективность: Оптимальный баланс RDS(on) и Qg/Qrr.
• Упрощение схемы управления: Низкий Qg позволяет использовать более простые и дешевые драйверы.
• Отличная работа в SR: Минимальные потери при обратном восстановлении внутреннего диода.
• Надежный корпус: TO-220 FullPAK обеспечивает хороший теплоотвод и электрическую изоляцию.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальные парт-номера от Infineon для одного и того же кристалла в разных корпусах:

• IPP60R160C6 – Основной номер в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• IPD60R160C6 – Тот же кристалл в корпусе D²PAK (TO-263), для поверхностного монтажа (SMD).
• IPW60R160C6 – Тот же кристалл в корпусе TO-247, для более высоких мощностей и лучшего теплоотвода.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске аналога важно смотреть не только на напряжение и ток, но и на технологию (SJ, низкий Qrr) и динамические параметры (Qg, Qrr).

Прямые или очень близкие аналоги (600В, ~0.16 Ом, Superjunction, низкий Qrr):

• STMicroelectronics:
  • STF19N60M6 (MDmesh™ M6, TO-220FP) – Очень близкий по характеристикам и назначению.
  • STW19N60M6 (в TO-247)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP19N60 (SuperFET II, TO-220FP) – Аналогичный класс.
• Power Integration (через бренд Qorvo):
  • QPF60R160C (TO-220F) – Прямой конкурент от Qorvo.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N15-16 (TO-220) – Из линейки с низким зарядом.

Что искать при замене (приоритеты):

1. Напряжение VDSS: Не менее 600В.
2. Сопротивление RDS(on): Максимально близкое к 0.16 Ом (при том же токе/условиях).
3. Технология: Указание на "Superjunction", "CoolMOS", "MDmesh", "SuperFET". Обычные MOSFET не подойдут для высокочастотных применений.
4. Динамические параметры: Особенно Qrr (должен быть в районе 1 мкКл или меньше для работы в SR) и Qg.
5. Корпус: TO-220FP (FullPAK/изолированный), D²PAK или TO-247.

Важно: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами обоих компонентов, особенно по распиновке (расположение выводов Drain, Gate, Source) и параметрам безопасной рабочей области (SOA) для вашего конкретного применения.