Infineon IPP60R190E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPP60R190E6.

Общее описание

Infineon IPP60R190E6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (Enhanced Energy Efficiency). Он является частью седьмого поколения суперджанкшн (Superjunction) MOSFET от Infineon.

Основное назначение: Ключевой элемент в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• DC-DC преобразователи (например, прямоходовые, мостовые)
• Источники питания для серверов, телекоммуникационного оборудования, промышленных систем.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ E6:

• Рекордно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) для своего класса напряжения, что минимизирует проводимые потери.
• Высокая эффективность во всем диапазоне нагрузок.
• Оптимизированная динамика переключения — хороший баланс между скоростью переключения и уровнем электромагнитных помех (EMI).
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, Enhancement Mode MOSFET | | | Технология | CoolMOS™ E6 (Superjunction) | | | Структура корпуса | ТО-220 FullPAK (изолированный) | Полностью пластиковый корпус, не требует изолирующей прокладки между транзистором и радиатором. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 190 мОм (миллиОм) | При Vgs = 10 В, Id = 15.5 А. Ключевой параметр, определяющий потери на проводимость. | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 15.5 А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 62 А | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Типовое ~4 В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл (наноКулон) | Важный параметр для расчета драйвера затвора. | | Время включения (td(on)+tr) | ~ 18 нс | | | Время выключения (td(off)+tf) | ~ 40 нс | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 156 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 °C до +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Одна и та же кремниевая платформа (чип) часто выпускается в разных корпусах. Для IPP60R190E6 существуют аналоги:

• SPP60R190E6 — корпус ТО-247. Имеет лучший тепловой отвод за счет больших размеров, может рассеивать большую мощность.
• IPD60R190E6 — корпус D²PAK (ТО-263). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
• IPP60R190E6 — корпус ТО-220 FullPAK (рассматриваемая модель).

Важно: Буквы в начале обозначают тип корпуса (SPP, IPP, IPD), а цифровая часть 60R190E6 указывает на характеристики чипа (600В, 190 мОм, поколение E6).

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При замене или поиске аналога необходимо учитывать напряжение (600В), сопротивление Rds(on) (~190 мОм) и корпус.

Прямые аналоги от Infineon (тот же чип, другие корпуса):

• SPP60R190E6 (TO-247)
• IPD60R190E6 (D²PAK)

Ближайшие аналоги по параметрам от Infineon (в том же корпусе ТО-220):

• IPP60R180E6 — 180 мОм (немного лучше)
• IPP60R220E6 — 220 мОм (немного хуже)
• IPP60R190C6 — предыдущее поколение CoolMOS C6 (может отличаться динамикой и Qg).

Аналоги от других производителей (важно проверять даташиты!):

• STMicroelectronics: STF19N60M6, STW19N60M6 (в других корпусах). MDmesh™ M6 — технология, аналогичная по классу.
• ON Semiconductor: FCP19N60, FCA19N60. Технология SuperFET.
• Fairchild/ON Semi: FCPF190N60E.
• Vishay: SUP60N19-21-E3.
• IXYS: Аналоги из серии высоковольтных MOSFET.

Важные замечания при замене:

1. Корпус: Убедитесь, что физический корпус (TO-220, TO-247 и т.д.) подходит для монтажа.
2. Параметры переключения: Даже при схожих Vds и Rds(on) могут существенно отличаться заряды затвора (Qg), емкости и динамические характеристики, что может потребовать корректировки цепи драйвера.
3. Распиновка: Всегда проверяйте расположение выводов (сток, исток, затвор) на корпусе.
4. Поколение технологии: E6 более продвинутое, чем C6 или P6, и обычно обеспечивает лучшую эффективность.

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте официальные даташиты (datasheet) обоих компонентов, уделяя внимание разделам Electrical Characteristics и Switching Performance.