Infineon IPP65R600C6XKSA1

Отличный выбор! IPP65R600C6XKSA1 — это высокоэффективный силовой MOSFET транзистор от Infineon, относящийся к их премиальной линейке CoolMOS™ C6. Он оптимизирован для работы в жестких режимах ключевых преобразователей.

Описание

Транзистор IPP65R600C6XKSA1 представляет собой N-канальный MOSFET, изготовленный по суперпереходной (Superjunction) технологии. Ключевые особенности, которые делают его востребованным в силовой электронике:

• Семейство CoolMOS™ C6: Создано для высокой эффективности и надежности в таких топологиях, как корректор коэффициента мощности (PFC) и резонансные преобразователи (LLC). Основной фокус — снижение динамических потерь.
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Обладает исключительно низким зарядом обратного восстановления внутреннего диода (Qrr) и низкой емкостью (Coss, Crss), что минимизирует потери на включение/выключение и снижает электромагнитные помехи (EMI).
• Высокое напряжение сток-исток: 650В позволяет использовать его в сетевых приложениях (85-265 В AC) с хорошим запасом по напряжению.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.6 Ом при 25°C обеспечивает низкие проводимые потери.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошим соотношением цена/производительность и возможностью установки теплоотвода.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности
• Серверные БП, БП для ПК
• Промышленные БП, БП для LED-освещения
• Корректоры коэффициента мощности (PFC) в непрерывном (CCM) и критическом (CrM) режимах

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Семейство | CoolMOS™ C6 | Оптимизированы для PFC и LLC | | Тип канала | N-Channel | | | Корпус | TO-220 | | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 650 В | Максимальное постоянное | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.6 Ом | При Vgs=10 В, Tj=25°C | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 10 А | При Tc=25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 40 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~19 нКл | При Vgs=10 В, Vds=400 В (типовое) | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | ~0.055 мкКл | Очень низкое значение, ключевое преимущество | | Входная емкость (Ciss) | ~720 пФ | | | Выходная емкость (Coss) | ~27 пФ | При Vds=25 В (эффективная, важна для мягкого переключения) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs)| ±30 В | | | Диод сток-исток | Встроенный быстрый диод | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон |

Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор имеет несколько стандартных вариантов маркировки и прямых аналогов от других производителей.

1. Парт-номера Infineon (полные и упрощенные):

• IPP65R600C6XKSA1 — Полное название, включающее корпус (TO-220).
• SPP65R600C6 — Альтернативное обозначение от Infineon для того же кристалла.
• На корпусе часто наносится упрощенная маркировка, например: 65R600C6 или аналогичная.

2. Ближайшие аналоги в семействе CoolMOS C6 (разные Rds(on)):

• IPP65R450C6 (0.45 Ом) — Больший ток, меньшее сопротивление.
• IPP65R950C6 (0.95 Ом) — Меньший ток, большее сопротивление.
• IPP65R125C6 (0.125 Ом) — Для более мощных применений (обычно в другом корпусе).
• IPP65R1K0C6 (1.0 Ом) — Для менее мощных применений.

3. Прямые/функциональные аналоги от других производителей:

При поиске аналога важно сравнивать не только Rds(on) и напряжение, но и динамические параметры (Qg, Qrr, Coss).

• STMicroelectronics:
  • STP15N65M6 (650В, 0.6 Ом, 12А) — из серии MDmesh™ M6, оптимизированы аналогично.
  • STF15N65M6 (в корпусе TO-220FP).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP11N65S (650В, 0.6 Ом, 11А) — из серии SuperFET® III.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06-18 (650В, 0.6 Ом, 10.5А) — из серии Q-Class.
• Power Integration (в составе их систем в корпусе):
  • Не являются прямым аналогом, но часто используются в схожих приложениях.

Важное замечание по замене: Хотя статические параметры (Vds, Rds(on), Id) могут совпадать, динамические характеристики (особенно Qrr и Coss) у разных серий и производителей могут значительно отличаться. Это может повлиять на эффективность, нагрев и уровень EMI в конечной схеме. Перед заменой необходимо тщательно изучать даташиты и, в идеале, проводить тесты в реальной схеме. CoolMOS C6 от Infineon имеет одни из лучших показателей по Qrr в своем классе.